2SB1302T-TD-E ON Semiconductor TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
2SB1302T-TD-E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
2SB1302T-TD-E Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
18,198
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
2SB1302T-TD-E Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 2SB1302T-TD-E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc 2SB1302T-TD-E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 2SB1302T-TD-E. Нажмите, чтобы получить предложение
2SB1302T-TD-E Особенности
2SB1302T-TD-E is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные.
2SB1302T-TD-E Подробная информация о продукции
:
2SB1302T-TD-E — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
ON Semiconductor.
2SB1302T-TD-E производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
2SB1302T-TD-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 2SB1302T-TD-E (PDF), цена 2SB1302T-TD-E, Распиновка 2SB1302T-TD-E, руководство 2SB1302T-TD-E и решение на замену 2SB1302T-TD-E.
2SB1302T-TD-E производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
2SB1302T-TD-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 2SB1302T-TD-E (PDF), цена 2SB1302T-TD-E, Распиновка 2SB1302T-TD-E, руководство 2SB1302T-TD-E и решение на замену 2SB1302T-TD-E.
2SB1302T-TD-E FAQ
:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The maximum collector current (IC) rating for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 15A.
2. What is the maximum collector-base voltage (VCBO) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The maximum collector-base voltage (VCBO) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 230V.
3. What is the maximum power dissipation (PD) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The maximum power dissipation (PD) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 80W.
4. What is the DC current gain (hFE) range for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The DC current gain (hFE) range for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 55 to 220.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The maximum junction temperature (Tj) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 150°C.
6. What is the storage temperature range for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The storage temperature range for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is -55°C to 150°C.
7. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 1.25°C/W.
8. What is the transition frequency (fT) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The transition frequency (fT) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 30MHz.
9. What is the package type for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The package type for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is TO-3P.
10. What are the recommended operating conditions for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The recommended operating conditions for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor include a collector current (IC) of 7A, a collector-emitter voltage (VCE) of 5V, and a base current (IB) of 1.4A.
The maximum collector current (IC) rating for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 15A.
2. What is the maximum collector-base voltage (VCBO) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The maximum collector-base voltage (VCBO) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 230V.
3. What is the maximum power dissipation (PD) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The maximum power dissipation (PD) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 80W.
4. What is the DC current gain (hFE) range for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The DC current gain (hFE) range for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 55 to 220.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The maximum junction temperature (Tj) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 150°C.
6. What is the storage temperature range for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The storage temperature range for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is -55°C to 150°C.
7. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 1.25°C/W.
8. What is the transition frequency (fT) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The transition frequency (fT) for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is 30MHz.
9. What is the package type for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The package type for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor is TO-3P.
10. What are the recommended operating conditions for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor?
The recommended operating conditions for the 2SB1302T-TD-E discrete semiconductor include a collector current (IC) of 7A, a collector-emitter voltage (VCE) of 5V, and a base current (IB) of 1.4A.
2SB1302T-TD-E Связанные ключевые слова
:
2SB1302T-TD-E Цена
2SB1302T-TD-E Картина
2SB1302T-TD-E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"2SB1"
series
products
