2SB1302S-TD-E ON Semiconductor TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
2SB1302S-TD-E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
2SB1302S-TD-E Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
26,412
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
2SB1302S-TD-E Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 2SB1302S-TD-E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc 2SB1302S-TD-E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 2SB1302S-TD-E. Нажмите, чтобы получить предложение
2SB1302S-TD-E Особенности
2SB1302S-TD-E is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные.
2SB1302S-TD-E Подробная информация о продукции
:
2SB1302S-TD-E — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
ON Semiconductor.
2SB1302S-TD-E производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
2SB1302S-TD-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 2SB1302S-TD-E (PDF), цена 2SB1302S-TD-E, Распиновка 2SB1302S-TD-E, руководство 2SB1302S-TD-E и решение на замену 2SB1302S-TD-E.
2SB1302S-TD-E производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
2SB1302S-TD-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 2SB1302S-TD-E (PDF), цена 2SB1302S-TD-E, Распиновка 2SB1302S-TD-E, руководство 2SB1302S-TD-E и решение на замену 2SB1302S-TD-E.
2SB1302S-TD-E FAQ
:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The maximum collector current (Ic) rating for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 3 amperes.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 60 volts.
3. What is the power dissipation (Pd) rating for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The power dissipation (Pd) rating for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 25 watts.
4. Can you provide the typical DC current gain (hFE) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The typical DC current gain (hFE) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 40 to 320.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The maximum junction temperature (Tj) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 150 degrees Celsius.
6. Does the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor have a specific storage temperature range?
Yes, the storage temperature range for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is -55 to 150 degrees Celsius.
7. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 3.13 °C/W.
8. Is the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is RoHS compliant.
9. Can you provide the package type and outline dimensions for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is available in the TO-220F package type with the following outline dimensions: 10.0mm x 15.1mm x 4.6mm.
10. What are the recommended soldering conditions for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The recommended soldering conditions for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor include a soldering iron temperature of 260°C for up to 10 seconds.
The maximum collector current (Ic) rating for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 3 amperes.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 60 volts.
3. What is the power dissipation (Pd) rating for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The power dissipation (Pd) rating for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 25 watts.
4. Can you provide the typical DC current gain (hFE) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The typical DC current gain (hFE) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 40 to 320.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The maximum junction temperature (Tj) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 150 degrees Celsius.
6. Does the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor have a specific storage temperature range?
Yes, the storage temperature range for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is -55 to 150 degrees Celsius.
7. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is 3.13 °C/W.
8. Is the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is RoHS compliant.
9. Can you provide the package type and outline dimensions for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor is available in the TO-220F package type with the following outline dimensions: 10.0mm x 15.1mm x 4.6mm.
10. What are the recommended soldering conditions for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor?
The recommended soldering conditions for the 2SB1302S-TD-E discrete semiconductor include a soldering iron temperature of 260°C for up to 10 seconds.
2SB1302S-TD-E Связанные ключевые слова
:
2SB1302S-TD-E Цена
2SB1302S-TD-E Картина
2SB1302S-TD-E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"2SB1"
series
products
