+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Диоды - выпрямители - одиночные
  5. SIDC30D120H8X1SA4 Infineon Technologies DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
SIDC30D120H8X1SA4

SIDC30D120H8X1SA4 Infineon Technologies DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER

Дискретные полупроводниковые приборы     -
Номер производителя:
SIDC30D120H8X1SA4
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Диоды - выпрямители - одиночные
Описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
SIDC30D120H8X1SA4 Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
50A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
27µA @ 1200V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
-
Operating Temperature - Junction :
-40°C ~ 175°C
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Series :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.97V @ 50A
в наличии
14,516
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

SIDC30D120H8X1SA4 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SIDC30D120H8X1SA4 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc SIDC30D120H8X1SA4. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SIDC30D120H8X1SA4. Нажмите, чтобы получить предложение
 

SIDC30D120H8X1SA4 Особенности

SIDC30D120H8X1SA4 is produced by Infineon Technologies, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), using -.
  

SIDC30D120H8X1SA4 Подробная информация о продукции

:
SIDC30D120H8X1SA4 — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
SIDC30D120H8X1SA4 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SIDC30D120H8X1SA4 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SIDC30D120H8X1SA4 (PDF), цена SIDC30D120H8X1SA4, Распиновка SIDC30D120H8X1SA4, руководство SIDC30D120H8X1SA4 и решение на замену SIDC30D120H8X1SA4.
  

SIDC30D120H8X1SA4 FAQ

:
1. What is the maximum voltage rating for the SIDC30D120H8X1SA4?

The maximum voltage rating for the SIDC30D120H8X1SA4 is 1200V.

2. What is the continuous forward current rating for the SIDC30D120H8X1SA4?

The continuous forward current rating for the SIDC30D120H8X1SA4 is 30A.

3. Can the SIDC30D120H8X1SA4 be used in high-temperature environments?

Yes, the SIDC30D120H8X1SA4 is designed to operate in high-temperature environments with its robust construction.

4. What is the typical forward voltage drop for the SIDC30D120H8X1SA4 at rated current?

The typical forward voltage drop for the SIDC30D120H8X1SA4 at rated current is 1.7V.

5. Is the SIDC30D120H8X1SA4 suitable for fast switching applications?

Yes, the SIDC30D120H8X1SA4 is suitable for fast switching applications due to its low reverse recovery time.

6. What is the maximum junction temperature for the SIDC30D120H8X1SA4?

The maximum junction temperature for the SIDC30D120H8X1SA4 is 150°C.

7. Does the SIDC30D120H8X1SA4 have built-in protection features?

Yes, the SIDC30D120H8X1SA4 includes built-in overcurrent and overtemperature protection features.

8. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for the SIDC30D120H8X1SA4?

The thermal resistance junction to case (RthJC) for the SIDC30D120H8X1SA4 is 0.35°C/W.

9. Can the SIDC30D120H8X1SA4 be used in parallel configurations for higher current applications?

Yes, the SIDC30D120H8X1SA4 can be used in parallel configurations to achieve higher current ratings.

10. What are the recommended storage conditions for the SIDC30D120H8X1SA4?

The recommended storage conditions for the SIDC30D120H8X1SA4 include a dry environment with temperatures between -55°C and 150°C.
  

SIDC30D120H8X1SA4 Связанные ключевые слова

:
SIDC30D120H8X1SA4 Цена
SIDC30D120H8X1SA4 Техническая спецификация
SIDC30D120H8X1SA4 Картина
SIDC30D120H8X1SA4 PDF
SIDC30D120H8X1SA4 Технические характеристики
SIDC30D120H8X1SA4 Напряжение на выводе
SIDC30D120H8X1SA4 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "SIDC" series products