+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Диоды - выпрямители - одиночные
  5. SIDC30D120E6X1SA2 Infineon Technologies DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
SIDC30D120E6X1SA2

SIDC30D120E6X1SA2 Infineon Technologies DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Дискретные полупроводниковые приборы     Die
Номер производителя:
SIDC30D120E6X1SA2
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Диоды - выпрямители - одиночные
Описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
SIDC30D120E6X1SA2 Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
35A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
27µA @ 1200V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
Die
Packaging :
Bulk
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Series :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.9V @ 35A
в наличии
11,986
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

SIDC30D120E6X1SA2 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SIDC30D120E6X1SA2 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc SIDC30D120E6X1SA2. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SIDC30D120E6X1SA2. Нажмите, чтобы получить предложение
 

SIDC30D120E6X1SA2 Особенности

SIDC30D120E6X1SA2 is produced by Infineon Technologies, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is Die, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), using Sawn on foil.
  

SIDC30D120E6X1SA2 Подробная информация о продукции

:
SIDC30D120E6X1SA2 — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
SIDC30D120E6X1SA2 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SIDC30D120E6X1SA2 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SIDC30D120E6X1SA2 (PDF), цена SIDC30D120E6X1SA2, Распиновка SIDC30D120E6X1SA2, руководство SIDC30D120E6X1SA2 и решение на замену SIDC30D120E6X1SA2.
  

SIDC30D120E6X1SA2 FAQ

:
1. What is the maximum voltage rating for the SIDC30D120E6X1SA2?
The maximum voltage rating for the SIDC30D120E6X1SA2 is 1200V.

2. What is the continuous forward current rating for the SIDC30D120E6X1SA2?
The continuous forward current rating for the SIDC30D120E6X1SA2 is 30A.

3. Can the SIDC30D120E6X1SA2 be used in high-temperature environments?
Yes, the SIDC30D120E6X1SA2 is designed to operate effectively in high-temperature environments.

4. What is the typical reverse recovery time for the SIDC30D120E6X1SA2?
The typical reverse recovery time for the SIDC30D120E6X1SA2 is 35ns.

5. Is the SIDC30D120E6X1SA2 suitable for use in power factor correction applications?
Yes, the SIDC30D120E6X1SA2 is suitable for use in power factor correction applications.

6. What is the maximum junction temperature for the SIDC30D120E6X1SA2?
The maximum junction temperature for the SIDC30D120E6X1SA2 is 150°C.

7. Does the SIDC30D120E6X1SA2 require a heatsink for proper operation?
Yes, it is recommended to use a heatsink for optimal performance of the SIDC30D120E6X1SA2.

8. What is the typical on-state voltage drop for the SIDC30D120E6X1SA2 at rated current?
The typical on-state voltage drop for the SIDC30D120E6X1SA2 at rated current is 1.2V.

9. Can the SIDC30D120E6X1SA2 be used in parallel configurations for higher current applications?
Yes, the SIDC30D120E6X1SA2 can be used in parallel configurations for higher current applications.

10. What are the recommended storage conditions for the SIDC30D120E6X1SA2?
The recommended storage conditions for the SIDC30D120E6X1SA2 are a dry and cool environment with temperatures between -40°C to 125°C.
  

SIDC30D120E6X1SA2 Связанные ключевые слова

:
SIDC30D120E6X1SA2 Цена
SIDC30D120E6X1SA2 Техническая спецификация
SIDC30D120E6X1SA2 Картина
SIDC30D120E6X1SA2 PDF
SIDC30D120E6X1SA2 Технические характеристики
SIDC30D120E6X1SA2 Напряжение на выводе
SIDC30D120E6X1SA2 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "SIDC" series products