IRF8915 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF8915
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
IRF8915 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
в наличии
45,259
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRF8915 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF8915 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRF8915. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRF8915. Нажмите, чтобы получить предложение
IRF8915 Особенности
IRF8915 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
IRF8915 Подробная информация о продукции
:
IRF8915 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRF8915 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF8915 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF8915 (PDF), цена IRF8915, Распиновка IRF8915, руководство IRF8915 и решение на замену IRF8915.
IRF8915 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF8915 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF8915 (PDF), цена IRF8915, Распиновка IRF8915, руководство IRF8915 и решение на замену IRF8915.
IRF8915 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8915 MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8915 MOSFET is 150 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF8915 MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF8915 MOSFET is 42 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8915 MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8915 MOSFET is typically 0.023 ohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 20 amperes.
4. Can the IRF8915 MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the IRF8915 MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
5. What is the operating temperature range of the IRF8915 MOSFET?
The operating temperature range of the IRF8915 MOSFET is -55°C to 175°C.
6. Does the IRF8915 MOSFET require a heat sink for certain applications?
For high-power or high-temperature applications, it is recommended to use a heat sink with the IRF8915 MOSFET to ensure proper thermal management.
7. What is the gate-source voltage (Vgs) required to fully enhance the IRF8915 MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) required to fully enhance the IRF8915 MOSFET is typically 10 volts.
8. Is the IRF8915 MOSFET suitable for automotive or industrial applications?
Yes, the IRF8915 MOSFET is suitable for automotive and industrial applications due to its robustness and high current-handling capability.
9. Can multiple IRF8915 MOSFETs be connected in parallel for higher current handling?
Yes, multiple IRF8915 MOSFETs can be connected in parallel to increase the overall current-handling capacity of the circuit.
10. What are the key differences between the IRF8915 and its equivalent MOSFETs from other manufacturers?
The key differences between the IRF8915 and its equivalents from other manufacturers lie in their specific electrical and thermal characteristics, package styles, and application suitability.
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8915 MOSFET is 150 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF8915 MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF8915 MOSFET is 42 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8915 MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8915 MOSFET is typically 0.023 ohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 20 amperes.
4. Can the IRF8915 MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the IRF8915 MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
5. What is the operating temperature range of the IRF8915 MOSFET?
The operating temperature range of the IRF8915 MOSFET is -55°C to 175°C.
6. Does the IRF8915 MOSFET require a heat sink for certain applications?
For high-power or high-temperature applications, it is recommended to use a heat sink with the IRF8915 MOSFET to ensure proper thermal management.
7. What is the gate-source voltage (Vgs) required to fully enhance the IRF8915 MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) required to fully enhance the IRF8915 MOSFET is typically 10 volts.
8. Is the IRF8915 MOSFET suitable for automotive or industrial applications?
Yes, the IRF8915 MOSFET is suitable for automotive and industrial applications due to its robustness and high current-handling capability.
9. Can multiple IRF8915 MOSFETs be connected in parallel for higher current handling?
Yes, multiple IRF8915 MOSFETs can be connected in parallel to increase the overall current-handling capacity of the circuit.
10. What are the key differences between the IRF8915 and its equivalent MOSFETs from other manufacturers?
The key differences between the IRF8915 and its equivalents from other manufacturers lie in their specific electrical and thermal characteristics, package styles, and application suitability.
IRF8915 Связанные ключевые слова
:
IRF8915 Цена
IRF8915 Картина
IRF8915 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRF8"
series
products
