+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. IRF8910PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
IRF8910PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
IRF8910PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

IRF8910PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы     8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF8910PBF
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IRF8910PBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
10A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
960pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tube
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
в наличии
54,248
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IRF8910PBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF8910PBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF8910PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF8910PBF. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IRF8910PBF Особенности

IRF8910PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
  

IRF8910PBF Подробная информация о продукции

:
IRF8910PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF8910PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF8910PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF8910PBF (PDF), цена IRF8910PBF, Распиновка IRF8910PBF, руководство IRF8910PBF и решение на замену IRF8910PBF.
  

IRF8910PBF FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8910PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8910PBF MOSFET is 100 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF8910PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF8910PBF MOSFET is 42 amperes.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8910PBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8910PBF MOSFET is typically 8.5 milliohms at Vgs = 10V.

4. What is the gate-source voltage (Vgs) for the IRF8910PBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) for the IRF8910PBF MOSFET is ±20 volts.

5. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF8910PBF MOSFET?
The total power dissipation (Pd) of the IRF8910PBF MOSFET is 200 watts.

6. What is the junction temperature (Tj) range for the IRF8910PBF MOSFET?
The junction temperature (Tj) range for the IRF8910PBF MOSFET is -55°C to +175°C.

7. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF8910PBF MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF8910PBF MOSFET is typically 3300 picofarads.

8. What is the output capacitance (Coss) of the IRF8910PBF MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the IRF8910PBF MOSFET is typically 470 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF8910PBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF8910PBF MOSFET is typically 180 picofarads.

10. What is the threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF8910PBF MOSFET?
The threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF8910PBF MOSFET is 1 to 2 volts.
  

IRF8910PBF Связанные ключевые слова

:
IRF8910PBF Цена
IRF8910PBF Техническая спецификация
IRF8910PBF Картина
IRF8910PBF PDF
IRF8910PBF Технические характеристики
IRF8910PBF Напряжение на выводе
IRF8910PBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IRF8" series products