+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. IRF8910TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
IRF8910TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
IRF8910TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

IRF8910TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы     8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF8910TRPBF
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IRF8910TRPBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
10A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
960pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
в наличии
55,314
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IRF8910TRPBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF8910TRPBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF8910TRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF8910TRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IRF8910TRPBF Особенности

IRF8910TRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
  

IRF8910TRPBF Подробная информация о продукции

:
IRF8910TRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF8910TRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF8910TRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF8910TRPBF (PDF), цена IRF8910TRPBF, Распиновка IRF8910TRPBF, руководство IRF8910TRPBF и решение на замену IRF8910TRPBF.
  

IRF8910TRPBF FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8910TRPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8910TRPBF MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF8910TRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF8910TRPBF MOSFET is 42A.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8910TRPBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8910TRPBF MOSFET is 4.5mΩ.

4. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF8910TRPBF MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF8910TRPBF MOSFET is 2V to 4V.

5. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF8910TRPBF MOSFET?
The total power dissipation (Pd) of the IRF8910TRPBF MOSFET is 200W.

6. What is the operating junction temperature (Tj) range of the IRF8910TRPBF MOSFET?
The operating junction temperature (Tj) range of the IRF8910TRPBF MOSFET is -55°C to 175°C.

7. Is the IRF8910TRPBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRF8910TRPBF MOSFET is RoHS compliant.

8. What is the package type of the IRF8910TRPBF MOSFET?
The package type of the IRF8910TRPBF MOSFET is D2PAK.

9. Does the IRF8910TRPBF MOSFET have a low thermal resistance?
Yes, the IRF8910TRPBF MOSFET features a low thermal resistance for improved thermal performance.

10. Is the IRF8910TRPBF MOSFET suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the IRF8910TRPBF MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low Rds(on) and fast switching characteristics.
  

IRF8910TRPBF Связанные ключевые слова

:
IRF8910TRPBF Цена
IRF8910TRPBF Техническая спецификация
IRF8910TRPBF Картина
IRF8910TRPBF PDF
IRF8910TRPBF Технические характеристики
IRF8910TRPBF Напряжение на выводе
IRF8910TRPBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IRF8" series products