BLP10H605AZ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
BLP10H605AZ
Производитель:
Описание:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Current - Test :
Current Rating :
Frequency :
Gain :
Noise Figure :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Output :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Voltage - Rated :
Voltage - Test :
в наличии
42,414
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BLP10H605AZ Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BLP10H605AZ более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BLP10H605AZ. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BLP10H605AZ. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BLP10H605AZ Особенности

BLP10H605AZ is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ.
  

BLP10H605AZ Подробная информация о продукции

:
BLP10H605AZ — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные Ampleon USA Inc..
BLP10H605AZ производства Ampleon USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BLP10H605AZ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BLP10H605AZ (PDF), цена BLP10H605AZ, Распиновка BLP10H605AZ, руководство BLP10H605AZ и решение на замену BLP10H605AZ.
  

BLP10H605AZ FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for the BLP10H605AZ?

The maximum drain-source voltage for the BLP10H605AZ is 60V.

2. What is the typical on-state resistance of the BLP10H605AZ?

The typical on-state resistance of the BLP10H605AZ is 10mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current for the BLP10H605AZ?

The maximum continuous drain current for the BLP10H605AZ is 100A.

4. What is the typical gate charge of the BLP10H605AZ?

The typical gate charge of the BLP10H605AZ is 25nC.

5. What is the maximum junction temperature for the BLP10H605AZ?

The maximum junction temperature for the BLP10H605AZ is 175°C.

6. What is the typical input capacitance of the BLP10H605AZ?

The typical input capacitance of the BLP10H605AZ is 5200pF.

7. What is the maximum power dissipation of the BLP10H605AZ?

The maximum power dissipation of the BLP10H605AZ is 300W.

8. What is the typical reverse recovery time of the BLP10H605AZ?

The typical reverse recovery time of the BLP10H605AZ is 28ns.

9. What is the maximum operating frequency for the BLP10H605AZ?

The maximum operating frequency for the BLP10H605AZ is 1MHz.

10. What is the typical thermal resistance junction to case of the BLP10H605AZ?

The typical thermal resistance junction to case of the BLP10H605AZ is 0.5°C/W.
  

BLP10H605AZ Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BLP1" series products