BLP10H603Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
BLP10H603Z
Производитель:
Описание:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Current - Test :
Current Rating :
Frequency :
Gain :
Noise Figure :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Output :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Voltage - Rated :
Voltage - Test :
в наличии
29,395
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BLP10H603Z Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BLP10H603Z более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BLP10H603Z. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BLP10H603Z. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BLP10H603Z Особенности

BLP10H603Z is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ.
  

BLP10H603Z Подробная информация о продукции

:
BLP10H603Z — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные Ampleon USA Inc..
BLP10H603Z производства Ampleon USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BLP10H603Z компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BLP10H603Z (PDF), цена BLP10H603Z, Распиновка BLP10H603Z, руководство BLP10H603Z и решение на замену BLP10H603Z.
  

BLP10H603Z FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (VDS) for the BLP10H603Z?
The maximum drain-source voltage (VDS) for the BLP10H603Z is 100V.

2. What is the continuous drain current (ID) rating of the BLP10H603Z?
The continuous drain current (ID) rating of the BLP10H603Z is 100A.

3. Can you provide the typical on-resistance (RDS(on)) of the BLP10H603Z?
The typical on-resistance (RDS(on)) of the BLP10H603Z is 6.5mΩ.

4. What is the gate threshold voltage (VGS(th)) for the BLP10H603Z?
The gate threshold voltage (VGS(th)) for the BLP10H603Z is typically 2.0V.

5. Does the BLP10H603Z have a specified maximum power dissipation?
Yes, the BLP10H603Z has a maximum power dissipation of 300W.

6. Can you provide the typical input capacitance (Ciss) of the BLP10H603Z?
The typical input capacitance (Ciss) of the BLP10H603Z is 6800pF.

7. What is the typical total gate charge (Qg) for the BLP10H603Z?
The typical total gate charge (Qg) for the BLP10H603Z is 90nC.

8. Is the BLP10H603Z RoHS compliant?
Yes, the BLP10H603Z is RoHS compliant.

9. Can you provide the operating temperature range for the BLP10H603Z?
The operating temperature range for the BLP10H603Z is -55°C to 175°C.

10. What package type does the BLP10H603Z come in?
The BLP10H603Z comes in a TO-220AB package.
  

BLP10H603Z Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BLP1" series products