W987D2HBJX6E TR Winbond Electronics IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
Интегральные схемы (ИС) 90-TFBGA
Номер производителя:
W987D2HBJX6E TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
W987D2HBJX6E TR Таблицы данных(PDF)
Access Time :
5.4ns
Clock Frequency :
166MHz
Memory Format :
DRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
128Mb (4M x 32)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-25°C ~ 85°C (TC)
Package / Case :
90-TFBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Not For New Designs
Series :
-
Supplier Device Package :
90-VFBGA (8x13)
Technology :
SDRAM - Mobile LPSDR
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
15ns
в наличии
47,066
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
W987D2HBJX6E TR Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить W987D2HBJX6E TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc W987D2HBJX6E TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на W987D2HBJX6E TR. Нажмите, чтобы получить предложение
W987D2HBJX6E TR Особенности
W987D2HBJX6E TR is produced by Winbond Electronics, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -25°C ~ 85°C (TC), the size is 90-TFBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 90-VFBGA (8x13), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
W987D2HBJX6E TR Подробная информация о продукции
:
W987D2HBJX6E TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Winbond Electronics.
W987D2HBJX6E TR производства Winbond Electronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
W987D2HBJX6E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных W987D2HBJX6E TR (PDF), цена W987D2HBJX6E TR, Распиновка W987D2HBJX6E TR, руководство W987D2HBJX6E TR и решение на замену W987D2HBJX6E TR.
W987D2HBJX6E TR производства Winbond Electronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
W987D2HBJX6E TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных W987D2HBJX6E TR (PDF), цена W987D2HBJX6E TR, Распиновка W987D2HBJX6E TR, руководство W987D2HBJX6E TR и решение на замену W987D2HBJX6E TR.
W987D2HBJX6E TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the W987D2HBJX6E TR semiconductor?
The maximum operating temperature for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is 125°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the W987D2HBJX6E TR diode?
The typical forward voltage drop for the W987D2HBJX6E TR diode is 0.7V.
3. Can the W987D2HBJX6E TR handle high-frequency applications?
Yes, the W987D2HBJX6E TR is designed to handle high-frequency applications.
4. What is the recommended storage temperature range for the W987D2HBJX6E TR semiconductor?
The recommended storage temperature range for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is -55°C to 150°C.
5. Does the W987D2HBJX6E TR have built-in ESD protection?
Yes, the W987D2HBJX6E TR has built-in ESD protection.
6. What is the typical reverse leakage current for the W987D2HBJX6E TR diode at room temperature?
The typical reverse leakage current for the W987D2HBJX6E TR diode at room temperature is 10nA.
7. Is the W987D2HBJX6E TR RoHS compliant?
Yes, the W987D2HBJX6E TR is RoHS compliant.
8. What is the maximum power dissipation for the W987D2HBJX6E TR semiconductor?
The maximum power dissipation for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is 500mW.
9. Can the W987D2HBJX6E TR be used in automotive applications?
Yes, the W987D2HBJX6E TR can be used in automotive applications.
10. What is the typical junction capacitance for the W987D2HBJX6E TR diode?
The typical junction capacitance for the W987D2HBJX6E TR diode is 15pF.
The maximum operating temperature for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is 125°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the W987D2HBJX6E TR diode?
The typical forward voltage drop for the W987D2HBJX6E TR diode is 0.7V.
3. Can the W987D2HBJX6E TR handle high-frequency applications?
Yes, the W987D2HBJX6E TR is designed to handle high-frequency applications.
4. What is the recommended storage temperature range for the W987D2HBJX6E TR semiconductor?
The recommended storage temperature range for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is -55°C to 150°C.
5. Does the W987D2HBJX6E TR have built-in ESD protection?
Yes, the W987D2HBJX6E TR has built-in ESD protection.
6. What is the typical reverse leakage current for the W987D2HBJX6E TR diode at room temperature?
The typical reverse leakage current for the W987D2HBJX6E TR diode at room temperature is 10nA.
7. Is the W987D2HBJX6E TR RoHS compliant?
Yes, the W987D2HBJX6E TR is RoHS compliant.
8. What is the maximum power dissipation for the W987D2HBJX6E TR semiconductor?
The maximum power dissipation for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is 500mW.
9. Can the W987D2HBJX6E TR be used in automotive applications?
Yes, the W987D2HBJX6E TR can be used in automotive applications.
10. What is the typical junction capacitance for the W987D2HBJX6E TR diode?
The typical junction capacitance for the W987D2HBJX6E TR diode is 15pF.
W987D2HBJX6E TR Связанные ключевые слова
:
W987D2HBJX6E TR Цена
W987D2HBJX6E TR Картина
W987D2HBJX6E TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"W987"
series
products
