W966D6HBGX7I TR Winbond Electronics IC PSRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
Интегральные схемы (ИС) 54-VFBGA
Номер производителя:
W966D6HBGX7I TR
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC PSRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
W966D6HBGX7I TR Таблицы данных(PDF)
Access Time :
70ns
Clock Frequency :
133MHz
Memory Format :
PSRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
64Mb (4M x 16)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TC)
Package / Case :
54-VFBGA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Series :
-
Supplier Device Package :
54-VFBGA (6x8)
Technology :
PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply :
1.7 V ~ 1.95 V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
в наличии
45,637
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
W966D6HBGX7I TR Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить W966D6HBGX7I TR более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc W966D6HBGX7I TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на W966D6HBGX7I TR. Нажмите, чтобы получить предложение
W966D6HBGX7I TR Особенности
W966D6HBGX7I TR is produced by Winbond Electronics, belongs to объем памяти, and its best working temperature is -40°C ~ 85°C (TC), the size is 54-VFBGA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using 54-VFBGA (6x8), 1.7 V ~ 1.95 V is the most suitable voltage.
W966D6HBGX7I TR Подробная информация о продукции
:
W966D6HBGX7I TR — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Winbond Electronics.
W966D6HBGX7I TR производства Winbond Electronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
W966D6HBGX7I TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных W966D6HBGX7I TR (PDF), цена W966D6HBGX7I TR, Распиновка W966D6HBGX7I TR, руководство W966D6HBGX7I TR и решение на замену W966D6HBGX7I TR.
W966D6HBGX7I TR производства Winbond Electronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
W966D6HBGX7I TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных W966D6HBGX7I TR (PDF), цена W966D6HBGX7I TR, Распиновка W966D6HBGX7I TR, руководство W966D6HBGX7I TR и решение на замену W966D6HBGX7I TR.
W966D6HBGX7I TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the W966D6HBGX7I TR semiconductor?
The maximum operating temperature for the W966D6HBGX7I TR semiconductor is 125°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the W966D6HBGX7I TR diode?
The typical forward voltage drop for the W966D6HBGX7I TR diode is 0.7V.
3. Can the W966D6HBGX7I TR handle high-frequency applications?
Yes, the W966D6HBGX7I TR is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the recommended storage temperature range for the W966D6HBGX7I TR semiconductor?
The recommended storage temperature range for the W966D6HBGX7I TR semiconductor is -55°C to 150°C.
5. Does the W966D6HBGX7I TR have built-in overvoltage protection?
Yes, the W966D6HBGX7I TR is equipped with built-in overvoltage protection features.
6. What is the typical reverse leakage current for the W966D6HBGX7I TR diode?
The typical reverse leakage current for the W966D6HBGX7I TR diode is 10nA.
7. Is the W966D6HBGX7I TR suitable for automotive applications?
Yes, the W966D6HBGX7I TR is suitable for automotive applications and complies with relevant industry standards.
8. What is the maximum continuous forward current rating for the W966D6HBGX7I TR semiconductor?
The maximum continuous forward current rating for the W966D6HBGX7I TR semiconductor is 2A.
9. Does the W966D6HBGX7I TR require a heat sink for certain applications?
Yes, for high-power applications, it is recommended to use a heat sink with the W966D6HBGX7I TR to manage thermal dissipation.
10. What is the typical junction capacitance for the W966D6HBGX7I TR diode?
The typical junction capacitance for the W966D6HBGX7I TR diode is 15pF.
The maximum operating temperature for the W966D6HBGX7I TR semiconductor is 125°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the W966D6HBGX7I TR diode?
The typical forward voltage drop for the W966D6HBGX7I TR diode is 0.7V.
3. Can the W966D6HBGX7I TR handle high-frequency applications?
Yes, the W966D6HBGX7I TR is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the recommended storage temperature range for the W966D6HBGX7I TR semiconductor?
The recommended storage temperature range for the W966D6HBGX7I TR semiconductor is -55°C to 150°C.
5. Does the W966D6HBGX7I TR have built-in overvoltage protection?
Yes, the W966D6HBGX7I TR is equipped with built-in overvoltage protection features.
6. What is the typical reverse leakage current for the W966D6HBGX7I TR diode?
The typical reverse leakage current for the W966D6HBGX7I TR diode is 10nA.
7. Is the W966D6HBGX7I TR suitable for automotive applications?
Yes, the W966D6HBGX7I TR is suitable for automotive applications and complies with relevant industry standards.
8. What is the maximum continuous forward current rating for the W966D6HBGX7I TR semiconductor?
The maximum continuous forward current rating for the W966D6HBGX7I TR semiconductor is 2A.
9. Does the W966D6HBGX7I TR require a heat sink for certain applications?
Yes, for high-power applications, it is recommended to use a heat sink with the W966D6HBGX7I TR to manage thermal dissipation.
10. What is the typical junction capacitance for the W966D6HBGX7I TR diode?
The typical junction capacitance for the W966D6HBGX7I TR diode is 15pF.
W966D6HBGX7I TR Связанные ключевые слова
:
W966D6HBGX7I TR Цена
W966D6HBGX7I TR Картина
W966D6HBGX7I TR Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"W966"
series
products
