SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 20V SOT23
Дискретные полупроводниковые приборы TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
SQ2351ES-T1_GE3
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET P-CHAN 20V SOT23
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
SQ2351ES-T1_GE3 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
3.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
FET Feature :
-
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power Dissipation (Max) :
2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
в наличии
51,126
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SQ2351ES-T1_GE3 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SQ2351ES-T1_GE3 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc SQ2351ES-T1_GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SQ2351ES-T1_GE3. Нажмите, чтобы получить предложение
SQ2351ES-T1_GE3 Особенности
SQ2351ES-T1_GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® series, using SOT-23-3 (TO-236).
SQ2351ES-T1_GE3 Подробная информация о продукции
:
SQ2351ES-T1_GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Vishay Siliconix.
SQ2351ES-T1_GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SQ2351ES-T1_GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SQ2351ES-T1_GE3 (PDF), цена SQ2351ES-T1_GE3, Распиновка SQ2351ES-T1_GE3, руководство SQ2351ES-T1_GE3 и решение на замену SQ2351ES-T1_GE3.
SQ2351ES-T1_GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SQ2351ES-T1_GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SQ2351ES-T1_GE3 (PDF), цена SQ2351ES-T1_GE3, Распиновка SQ2351ES-T1_GE3, руководство SQ2351ES-T1_GE3 и решение на замену SQ2351ES-T1_GE3.
SQ2351ES-T1_GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3 is 45mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3?
The input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3?
The total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 40nC.
8. What is the maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3 is 2.5W.
9. What is the typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3 is 10ns.
10. What is the maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is -55°C to 175°C.
The maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3 is 45mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3?
The input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3?
The total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 40nC.
8. What is the maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3 is 2.5W.
9. What is the typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3 is 10ns.
10. What is the maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is -55°C to 175°C.
SQ2351ES-T1_GE3 Связанные ключевые слова
:
SQ2351ES-T1_GE3 Цена
SQ2351ES-T1_GE3 Картина
SQ2351ES-T1_GE3 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SQ23"
series
products
