SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V SOT23

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
SQ2303ES-T1_GE3
Производитель:
Описание:
MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
Drain to Source Voltage (Vdss) :
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
FET Feature :
FET Type :
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power Dissipation (Max) :
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Vgs (Max) :
Vgs(th) (Max) @ Id :
в наличии
32,021
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

SQ2303ES-T1_GE3 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SQ2303ES-T1_GE3 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc SQ2303ES-T1_GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SQ2303ES-T1_GE3. Нажмите, чтобы получить предложение
 

SQ2303ES-T1_GE3 Особенности

SQ2303ES-T1_GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные.
  

SQ2303ES-T1_GE3 Подробная информация о продукции

:
SQ2303ES-T1_GE3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Vishay Siliconix.
SQ2303ES-T1_GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SQ2303ES-T1_GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SQ2303ES-T1_GE3 (PDF), цена SQ2303ES-T1_GE3, Распиновка SQ2303ES-T1_GE3, руководство SQ2303ES-T1_GE3 и решение на замену SQ2303ES-T1_GE3.
  

SQ2303ES-T1_GE3 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for the SQ2303ES-T1_GE3?

The maximum drain-source voltage for the SQ2303ES-T1_GE3 is 30V.

2. What is the continuous drain current rating for the SQ2303ES-T1_GE3?

The continuous drain current rating for the SQ2303ES-T1_GE3 is 8A.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the SQ2303ES-T1_GE3 at a specific gate-source voltage?

The on-state resistance (RDS(on)) of the SQ2303ES-T1_GE3 is typically 15mΩ at a gate-source voltage of 10V.

4. Can the SQ2303ES-T1_GE3 be used in automotive applications?

Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is suitable for use in automotive applications.

5. What is the maximum junction temperature for the SQ2303ES-T1_GE3?

The maximum junction temperature for the SQ2303ES-T1_GE3 is 175°C.

6. Does the SQ2303ES-T1_GE3 have built-in ESD protection?

Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 features built-in ESD protection.

7. What is the typical input capacitance of the SQ2303ES-T1_GE3?

The typical input capacitance of the SQ2303ES-T1_GE3 is 2100pF.

8. Is the SQ2303ES-T1_GE3 RoHS compliant?

Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is RoHS compliant.

9. What is the package type of the SQ2303ES-T1_GE3?

The SQ2303ES-T1_GE3 is available in a PowerPAK® SO-8 package.

10. Can the SQ2303ES-T1_GE3 be used in high-frequency switching applications?

Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
  

SQ2303ES-T1_GE3 Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "SQ23" series products