SI4823DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
SI4823DY-T1-E3
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
SI4823DY-T1-E3 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
4.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
FET Feature :
Schottky Diode (Isolated)
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power Dissipation (Max) :
1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Series :
LITTLE FOOT®
Supplier Device Package :
8-SO
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
в наличии
16,661
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SI4823DY-T1-E3 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SI4823DY-T1-E3 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc SI4823DY-T1-E3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SI4823DY-T1-E3. Нажмите, чтобы получить предложение
SI4823DY-T1-E3 Особенности
SI4823DY-T1-E3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the LITTLE FOOT® series, using 8-SO.
SI4823DY-T1-E3 Подробная информация о продукции
:
SI4823DY-T1-E3 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Vishay Siliconix.
SI4823DY-T1-E3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4823DY-T1-E3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4823DY-T1-E3 (PDF), цена SI4823DY-T1-E3, Распиновка SI4823DY-T1-E3, руководство SI4823DY-T1-E3 и решение на замену SI4823DY-T1-E3.
SI4823DY-T1-E3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SI4823DY-T1-E3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SI4823DY-T1-E3 (PDF), цена SI4823DY-T1-E3, Распиновка SI4823DY-T1-E3, руководство SI4823DY-T1-E3 и решение на замену SI4823DY-T1-E3.
SI4823DY-T1-E3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum drain-source voltage for the SI4823DY-T1-E3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance of the SI4823DY-T1-E3?
The typical on-resistance of the SI4823DY-T1-E3 is 25mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum continuous drain current for the SI4823DY-T1-E3 is 120A.
4. What is the gate threshold voltage of the SI4823DY-T1-E3?
The gate threshold voltage of the SI4823DY-T1-E3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum junction temperature for the SI4823DY-T1-E3 is 150°C.
6. What is the input capacitance of the SI4823DY-T1-E3?
The input capacitance of the SI4823DY-T1-E3 is typically 5200pF.
7. What is the total power dissipation of the SI4823DY-T1-E3?
The total power dissipation of the SI4823DY-T1-E3 is 2.5W.
8. What is the typical turn-on delay time of the SI4823DY-T1-E3?
The typical turn-on delay time of the SI4823DY-T1-E3 is 9ns.
9. What is the typical turn-off delay time of the SI4823DY-T1-E3?
The typical turn-off delay time of the SI4823DY-T1-E3 is 19ns.
10. What is the maximum reverse recovery time of the SI4823DY-T1-E3?
The maximum reverse recovery time of the SI4823DY-T1-E3 is 35ns.
The maximum drain-source voltage for the SI4823DY-T1-E3 is 30V.
2. What is the typical on-resistance of the SI4823DY-T1-E3?
The typical on-resistance of the SI4823DY-T1-E3 is 25mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum continuous drain current for the SI4823DY-T1-E3 is 120A.
4. What is the gate threshold voltage of the SI4823DY-T1-E3?
The gate threshold voltage of the SI4823DY-T1-E3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for the SI4823DY-T1-E3?
The maximum junction temperature for the SI4823DY-T1-E3 is 150°C.
6. What is the input capacitance of the SI4823DY-T1-E3?
The input capacitance of the SI4823DY-T1-E3 is typically 5200pF.
7. What is the total power dissipation of the SI4823DY-T1-E3?
The total power dissipation of the SI4823DY-T1-E3 is 2.5W.
8. What is the typical turn-on delay time of the SI4823DY-T1-E3?
The typical turn-on delay time of the SI4823DY-T1-E3 is 9ns.
9. What is the typical turn-off delay time of the SI4823DY-T1-E3?
The typical turn-off delay time of the SI4823DY-T1-E3 is 19ns.
10. What is the maximum reverse recovery time of the SI4823DY-T1-E3?
The maximum reverse recovery time of the SI4823DY-T1-E3 is 35ns.
SI4823DY-T1-E3 Связанные ключевые слова
:
SI4823DY-T1-E3 Цена
SI4823DY-T1-E3 Картина
SI4823DY-T1-E3 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SI48"
series
products
