IRL630PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB

Дискретные полупроводниковые приборы TO-220-3

Номер производителя:

IRL630PBF

Производитель:

Vishay Siliconix

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Описание:

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

IRL630PBF Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

9A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

4V, 5V

FET Feature :

FET Type :

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

40nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

1100pF @ 25V

Mounting Type :

Through Hole

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

TO-220-3

Packaging :

Tube

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

74W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

400 mOhm @ 5.4A, 5V

Series :

Supplier Device Package :

TO-220AB

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±10V

Vgs(th) (Max) @ Id :

2V @ 250µA

в наличии

36,212

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

IRL630PBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRL630PBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRL630PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRL630PBF. Нажмите, чтобы получить предложение

IRL630PBF Особенности

IRL630PBF is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is TO-220-3, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the - series, using TO-220AB.

IRL630PBF Подробная информация о продукции

IRL630PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Vishay Siliconix.
IRL630PBF производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRL630PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRL630PBF (PDF), цена IRL630PBF, Распиновка IRL630PBF, руководство IRL630PBF и решение на замену IRL630PBF.

IRL630PBF FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) for the IRL630PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) for the IRL630PBF MOSFET is 200 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRL630PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRL630PBF MOSFET is 9.7 amperes.

3. Can the IRL630PBF MOSFET handle high power dissipation?
Yes, the IRL630PBF MOSFET can handle high power dissipation due to its low Rds(on) and efficient thermal performance.

4. What is the gate-source voltage (Vgs) required to fully enhance the IRL630PBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) required to fully enhance the IRL630PBF MOSFET is typically 10 volts.

5. Does the IRL630PBF MOSFET have a fast switching speed?
Yes, the IRL630PBF MOSFET has a fast switching speed, making it suitable for applications requiring rapid switching.

6. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRL630PBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRL630PBF MOSFET is typically 0.65 ohms at Vgs = 10V.

7. Is the IRL630PBF MOSFET suitable for use in automotive applications?
Yes, the IRL630PBF MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.

8. What is the operating temperature range of the IRL630PBF MOSFET?
The operating temperature range of the IRL630PBF MOSFET is -55°C to 175°C.

9. Does the IRL630PBF MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the IRL630PBF MOSFET features built-in ESD protection, enhancing its reliability in various environments.

10. Can the IRL630PBF MOSFET be used in both low-side and high-side switch configurations?
Yes, the IRL630PBF MOSFET can be used in both low-side and high-side switch configurations, offering versatility in circuit design.

IRL630PBF Связанные ключевые слова

IRL630PBF Цена

IRL630PBF Техническая спецификация

IRL630PBF Картина

IRL630PBF PDF

IRL630PBF Технические характеристики

IRL630PBF Напряжение на выводе

IRL630PBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：mlccchips@gmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "IRL6" series products

IRL630

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
IRL630

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
IRL630A

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
IRL630A

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
IRL630A

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
IRL630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRL630SPBF

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK