20ETF02S Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK
Дискретные полупроводниковые приборы TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Номер производителя:
20ETF02S
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
20ETF02S Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
20A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
100µA @ 200V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-40°C ~ 150°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
160ns
Series :
-
Speed :
Fast Recovery = 200mA (Io)
Supplier Device Package :
D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 20A
в наличии
13,741
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
20ETF02S Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 20ETF02S более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc 20ETF02S. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 20ETF02S. Нажмите, чтобы получить предложение
20ETF02S Особенности
20ETF02S is produced by Vishay Semiconductor Diodes Division, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of Fast Recovery = 200mA (Io), using D2PAK.
20ETF02S Подробная информация о продукции
:
20ETF02S — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Vishay Semiconductor Diodes Division.
20ETF02S производства Vishay Semiconductor Diodes Division можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
20ETF02S компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 20ETF02S (PDF), цена 20ETF02S, Распиновка 20ETF02S, руководство 20ETF02S и решение на замену 20ETF02S.
20ETF02S производства Vishay Semiconductor Diodes Division можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
20ETF02S компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 20ETF02S (PDF), цена 20ETF02S, Распиновка 20ETF02S, руководство 20ETF02S и решение на замену 20ETF02S.
20ETF02S FAQ
:
1. What is the maximum voltage rating for the 20ETF02S discrete semiconductor?
The maximum voltage rating for the 20ETF02S discrete semiconductor is 200 volts.
2. What is the maximum current rating for the 20ETF02S discrete semiconductor?
The maximum current rating for the 20ETF02S discrete semiconductor is 20 amperes.
3. What is the typical forward voltage drop for the 20ETF02S discrete semiconductor at its rated current?
The typical forward voltage drop for the 20ETF02S discrete semiconductor at its rated current is 0.85 volts.
4. Can the 20ETF02S discrete semiconductor handle high-frequency switching applications?
Yes, the 20ETF02S discrete semiconductor is suitable for high-frequency switching applications.
5. What is the thermal resistance of the 20ETF02S discrete semiconductor junction to case?
The thermal resistance of the 20ETF02S discrete semiconductor junction to case is 1.5°C/W.
6. Is the 20ETF02S discrete semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 20ETF02S discrete semiconductor is RoHS compliant.
7. What is the maximum junction temperature for the 20ETF02S discrete semiconductor?
The maximum junction temperature for the 20ETF02S discrete semiconductor is 150°C.
8. Does the 20ETF02S discrete semiconductor have built-in ESD protection?
No, the 20ETF02S discrete semiconductor does not have built-in ESD protection.
9. What is the recommended mounting torque for the 20ETF02S discrete semiconductor?
The recommended mounting torque for the 20ETF02S discrete semiconductor is 5 inch-pounds.
10. Can the 20ETF02S discrete semiconductor be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the 20ETF02S discrete semiconductor can be used in parallel to increase current handling capability.
The maximum voltage rating for the 20ETF02S discrete semiconductor is 200 volts.
2. What is the maximum current rating for the 20ETF02S discrete semiconductor?
The maximum current rating for the 20ETF02S discrete semiconductor is 20 amperes.
3. What is the typical forward voltage drop for the 20ETF02S discrete semiconductor at its rated current?
The typical forward voltage drop for the 20ETF02S discrete semiconductor at its rated current is 0.85 volts.
4. Can the 20ETF02S discrete semiconductor handle high-frequency switching applications?
Yes, the 20ETF02S discrete semiconductor is suitable for high-frequency switching applications.
5. What is the thermal resistance of the 20ETF02S discrete semiconductor junction to case?
The thermal resistance of the 20ETF02S discrete semiconductor junction to case is 1.5°C/W.
6. Is the 20ETF02S discrete semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 20ETF02S discrete semiconductor is RoHS compliant.
7. What is the maximum junction temperature for the 20ETF02S discrete semiconductor?
The maximum junction temperature for the 20ETF02S discrete semiconductor is 150°C.
8. Does the 20ETF02S discrete semiconductor have built-in ESD protection?
No, the 20ETF02S discrete semiconductor does not have built-in ESD protection.
9. What is the recommended mounting torque for the 20ETF02S discrete semiconductor?
The recommended mounting torque for the 20ETF02S discrete semiconductor is 5 inch-pounds.
10. Can the 20ETF02S discrete semiconductor be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the 20ETF02S discrete semiconductor can be used in parallel to increase current handling capability.
20ETF02S Связанные ключевые слова
:
20ETF02S Цена
20ETF02S Картина
20ETF02S Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"20ET"
series
products
