MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
MT3S111P(TE12L,F)
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
MT3S111P(TE12L,F) Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Gain :
Mounting Type :
Noise Figure (dB Typ @ f) :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
30,826
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT3S111P(TE12L,F) Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT3S111P(TE12L,F) более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc MT3S111P(TE12L,F). Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT3S111P(TE12L,F). Нажмите, чтобы получить предложение
MT3S111P(TE12L,F) Особенности
MT3S111P(TE12L,F) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - RF.
MT3S111P(TE12L,F) Подробная информация о продукции
:
MT3S111P(TE12L,F) — это Транзисторы - биполярные (BJT) - RF, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Toshiba Semiconductor and Storage.
MT3S111P(TE12L,F) производства Toshiba Semiconductor and Storage можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT3S111P(TE12L,F) компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT3S111P(TE12L,F) (PDF), цена MT3S111P(TE12L,F), Распиновка MT3S111P(TE12L,F), руководство MT3S111P(TE12L,F) и решение на замену MT3S111P(TE12L,F).
MT3S111P(TE12L,F) производства Toshiba Semiconductor and Storage можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT3S111P(TE12L,F) компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT3S111P(TE12L,F) (PDF), цена MT3S111P(TE12L,F), Распиновка MT3S111P(TE12L,F), руководство MT3S111P(TE12L,F) и решение на замену MT3S111P(TE12L,F).
MT3S111P(TE12L,F) FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 3.7A.
3. What is the on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 60mΩ.
4. What is the gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1.5V.
5. What is the total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 8.6nC.
6. What is the input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1100pF.
7. What is the output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 200pF.
8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 150pF.
9. What is the junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is -55°C to 150°C.
10. What is the package type and lead finish of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The MT3S111P(TE12L,F) MOSFET comes in a DPAK (TO-252) package with lead-free plating.
The maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 3.7A.
3. What is the on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 60mΩ.
4. What is the gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1.5V.
5. What is the total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 8.6nC.
6. What is the input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1100pF.
7. What is the output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 200pF.
8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 150pF.
9. What is the junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is -55°C to 150°C.
10. What is the package type and lead finish of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The MT3S111P(TE12L,F) MOSFET comes in a DPAK (TO-252) package with lead-free plating.
MT3S111P(TE12L,F) Связанные ключевые слова
:
MT3S111P(TE12L,F) Цена
MT3S111P(TE12L,F) Картина
MT3S111P(TE12L,F) Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT3S"
series
products