+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
  5. MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-243AA
Номер производителя:
MT3S111P(TE12L,F)
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Описание:
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
MT3S111P(TE12L,F) Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition :
8GHz
Gain :
10.5dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
1.25dB @ 1GHz
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
TO-243AA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
1W
Series :
-
Supplier Device Package :
PW-MINI
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
6V
в наличии
30,826
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

MT3S111P(TE12L,F) Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT3S111P(TE12L,F) более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc MT3S111P(TE12L,F). Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на MT3S111P(TE12L,F). Нажмите, чтобы получить предложение
 

MT3S111P(TE12L,F) Особенности

MT3S111P(TE12L,F) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - RF, and its best working temperature is 150°C (TJ), the size is TO-243AA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PW-MINI.
  

MT3S111P(TE12L,F) Подробная информация о продукции

:
MT3S111P(TE12L,F) — это Транзисторы - биполярные (BJT) - RF, буферные усилители, разработанные и произведенные Toshiba Semiconductor and Storage.
MT3S111P(TE12L,F) производства Toshiba Semiconductor and Storage можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT3S111P(TE12L,F) компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT3S111P(TE12L,F) (PDF), цена MT3S111P(TE12L,F), Распиновка MT3S111P(TE12L,F), руководство MT3S111P(TE12L,F) и решение на замену MT3S111P(TE12L,F).
  

MT3S111P(TE12L,F) FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The continuous drain current rating of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is 3.7A.

3. What is the on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 60mΩ.

4. What is the gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The gate threshold voltage of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1.5V.

5. What is the total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The total gate charge (Qg) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 8.6nC.

6. What is the input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 1100pF.

7. What is the output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 200pF.

8. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is typically 150pF.

9. What is the junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The junction temperature range for the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET is -55°C to 150°C.

10. What is the package type and lead finish of the MT3S111P(TE12L,F) MOSFET?
The MT3S111P(TE12L,F) MOSFET comes in a DPAK (TO-252) package with lead-free plating.
  

MT3S111P(TE12L,F) Связанные ключевые слова

:
MT3S111P(TE12L,F) Цена
MT3S111P(TE12L,F) Техническая спецификация
MT3S111P(TE12L,F) Картина
MT3S111P(TE12L,F) PDF
MT3S111P(TE12L,F) Технические характеристики
MT3S111P(TE12L,F) Напряжение на выводе
MT3S111P(TE12L,F) Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "MT3S" series products