+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  5. 2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 230V 15A TO-3PL

2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 230V 15A TO-3PL

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-3P-3, SC-65-3
Номер производителя:
2SC5200N(S1,E,S)
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Описание:
TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
2SC5200N(S1,E,S) Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
15A
Current - Collector Cutoff (Max) :
5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition :
30MHz
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
TO-3P-3, SC-65-3
Packaging :
Tube
Part Status :
Active
Power - Max :
150W
Series :
-
Supplier Device Package :
TO-3P(N)
Transistor Type :
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
3V @ 800mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
230V
в наличии
30,612
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

2SC5200N(S1,E,S) Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 2SC5200N(S1,E,S) более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc 2SC5200N(S1,E,S). Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на 2SC5200N(S1,E,S). Нажмите, чтобы получить предложение
 

2SC5200N(S1,E,S) Особенности

2SC5200N(S1,E,S) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, and its best working temperature is 150°C (TJ), the size is TO-3P-3, SC-65-3, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the - series, using TO-3P(N).
  

2SC5200N(S1,E,S) Подробная информация о продукции

:
2SC5200N(S1,E,S) — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Toshiba Semiconductor and Storage.
2SC5200N(S1,E,S) производства Toshiba Semiconductor and Storage можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
2SC5200N(S1,E,S) компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 2SC5200N(S1,E,S) (PDF), цена 2SC5200N(S1,E,S), Распиновка 2SC5200N(S1,E,S), руководство 2SC5200N(S1,E,S) и решение на замену 2SC5200N(S1,E,S).
  

2SC5200N(S1,E,S) FAQ

:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum collector current (IC) rating for the 2SC5200N(S1,E,S) is 15A.

2. What is the maximum collector power dissipation (PC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum collector power dissipation (PC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 150W.

3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 230V.

4. What is the typical DC current gain (hFE) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The typical DC current gain (hFE) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 55.

5. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 1.25°C/W.

6. What is the storage temperature range for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The storage temperature range for the 2SC5200N(S1,E,S) is -55°C to 150°C.

7. What is the transition frequency (fT) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The transition frequency (fT) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 30MHz.

8. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 5V.

9. What is the recommended operating collector current (IC) for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The recommended operating collector current (IC) for the 2SC5200N(S1,E,S) is 8A.

10. What is the package type for the 2SC5200N(S1,E,S)?
The package type for the 2SC5200N(S1,E,S) is TO-3P.
  

2SC5200N(S1,E,S) Связанные ключевые слова

:
2SC5200N(S1,E,S) Цена
2SC5200N(S1,E,S) Техническая спецификация
2SC5200N(S1,E,S) Картина
2SC5200N(S1,E,S) PDF
2SC5200N(S1,E,S) Технические характеристики
2SC5200N(S1,E,S) Напряжение на выводе
2SC5200N(S1,E,S) Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "2SC5" series products