VNS1NV04DP-E STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
VNS1NV04DP-E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
VNS1NV04DP-E Таблицы данных(PDF)
Current - Output (Max) :
Fault Protection :
Features :
Input Type :
Interface :
Number of Outputs :
Operating Temperature :
Output Configuration :
Output Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Ratio - Input:Output :
Rds On (Typ) :
Series :
Supplier Device Package :
Switch Type :
Voltage - Load :
Voltage - Supply (Vcc/Vdd) :
в наличии
55,074
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
VNS1NV04DP-E Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить VNS1NV04DP-E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc VNS1NV04DP-E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на VNS1NV04DP-E. Нажмите, чтобы получить предложение
VNS1NV04DP-E Особенности
VNS1NV04DP-E is produced by STMicroelectronics, belongs to PMIC - Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки.
VNS1NV04DP-E Подробная информация о продукции
:
VNS1NV04DP-E — это PMIC - Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки, буферные усилители, разработанные и
произведенные
STMicroelectronics.
VNS1NV04DP-E производства STMicroelectronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
VNS1NV04DP-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных VNS1NV04DP-E (PDF), цена VNS1NV04DP-E, Распиновка VNS1NV04DP-E, руководство VNS1NV04DP-E и решение на замену VNS1NV04DP-E.
VNS1NV04DP-E производства STMicroelectronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
VNS1NV04DP-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных VNS1NV04DP-E (PDF), цена VNS1NV04DP-E, Распиновка VNS1NV04DP-E, руководство VNS1NV04DP-E и решение на замену VNS1NV04DP-E.
VNS1NV04DP-E FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 40 volts.
2. What is the continuous drain current rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The continuous drain current rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 1.7 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) for the VNS1NV04DP-E MOSFET is typically 0.0045 ohms.
4. Can the VNS1NV04DP-E MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET is designed for use in automotive applications.
5. What is the maximum junction temperature for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The maximum junction temperature for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 175 degrees Celsius.
6. Does the VNS1NV04DP-E MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET features built-in ESD protection.
7. What is the gate threshold voltage for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The gate threshold voltage for the VNS1NV04DP-E MOSFET is typically 1.5 volts.
8. Is the VNS1NV04DP-E MOSFET suitable for use in power management applications?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET is suitable for use in power management applications.
9. What is the package type for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The VNS1NV04DP-E MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.
10. Does the VNS1NV04DP-E MOSFET require an external freewheeling diode for inductive loads?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET requires an external freewheeling diode for inductive loads.
The maximum drain-source voltage rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 40 volts.
2. What is the continuous drain current rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The continuous drain current rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 1.7 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) for the VNS1NV04DP-E MOSFET is typically 0.0045 ohms.
4. Can the VNS1NV04DP-E MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET is designed for use in automotive applications.
5. What is the maximum junction temperature for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The maximum junction temperature for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 175 degrees Celsius.
6. Does the VNS1NV04DP-E MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET features built-in ESD protection.
7. What is the gate threshold voltage for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The gate threshold voltage for the VNS1NV04DP-E MOSFET is typically 1.5 volts.
8. Is the VNS1NV04DP-E MOSFET suitable for use in power management applications?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET is suitable for use in power management applications.
9. What is the package type for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The VNS1NV04DP-E MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.
10. Does the VNS1NV04DP-E MOSFET require an external freewheeling diode for inductive loads?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET requires an external freewheeling diode for inductive loads.
VNS1NV04DP-E Связанные ключевые слова
:
VNS1NV04DP-E Цена
VNS1NV04DP-E Картина
VNS1NV04DP-E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"VNS1"
series
products
