VNB10N07-E STMicroelectronics MOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
VNB10N07-E
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
VNB10N07-E Таблицы данных(PDF)
Current - Output (Max) :
Fault Protection :
Features :
Input Type :
Interface :
Number of Outputs :
Operating Temperature :
Output Configuration :
Output Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Ratio - Input:Output :
Rds On (Typ) :
Series :
Supplier Device Package :
Switch Type :
Voltage - Load :
Voltage - Supply (Vcc/Vdd) :
в наличии
62,423
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
VNB10N07-E Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить VNB10N07-E более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc VNB10N07-E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на VNB10N07-E. Нажмите, чтобы получить предложение
VNB10N07-E Особенности
VNB10N07-E is produced by STMicroelectronics, belongs to PMIC - Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки.
VNB10N07-E Подробная информация о продукции
:
VNB10N07-E — это PMIC - Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки, буферные усилители, разработанные и
произведенные
STMicroelectronics.
VNB10N07-E производства STMicroelectronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
VNB10N07-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных VNB10N07-E (PDF), цена VNB10N07-E, Распиновка VNB10N07-E, руководство VNB10N07-E и решение на замену VNB10N07-E.
VNB10N07-E производства STMicroelectronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
VNB10N07-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных VNB10N07-E (PDF), цена VNB10N07-E, Распиновка VNB10N07-E, руководство VNB10N07-E и решение на замену VNB10N07-E.
VNB10N07-E FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (VDS) for the VNB10N07-E MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) for the VNB10N07-E MOSFET is 70 volts.
2. What is the continuous drain current (ID) rating of the VNB10N07-E MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the VNB10N07-E MOSFET is 10 amperes.
3. Can the VNB10N07-E MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET can be used for high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the VNB10N07-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the VNB10N07-E MOSFET is typically 0.085 ohms.
5. Is the VNB10N07-E MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications.
6. What is the maximum junction temperature (Tj) for the VNB10N07-E MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) for the VNB10N07-E MOSFET is 175°C.
7. Does the VNB10N07-E MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET features built-in electrostatic discharge (ESD) protection.
8. What is the gate threshold voltage (VGS(th)) of the VNB10N07-E MOSFET?
The gate threshold voltage (VGS(th)) of the VNB10N07-E MOSFET is typically 2.5 volts.
9. Can the VNB10N07-E MOSFET be operated in parallel for higher current capability?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET can be operated in parallel to achieve higher current capability.
10. What package type is used for the VNB10N07-E MOSFET?
The VNB10N07-E MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.
The maximum drain-source voltage (VDS) for the VNB10N07-E MOSFET is 70 volts.
2. What is the continuous drain current (ID) rating of the VNB10N07-E MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the VNB10N07-E MOSFET is 10 amperes.
3. Can the VNB10N07-E MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET can be used for high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the VNB10N07-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the VNB10N07-E MOSFET is typically 0.085 ohms.
5. Is the VNB10N07-E MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications.
6. What is the maximum junction temperature (Tj) for the VNB10N07-E MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) for the VNB10N07-E MOSFET is 175°C.
7. Does the VNB10N07-E MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET features built-in electrostatic discharge (ESD) protection.
8. What is the gate threshold voltage (VGS(th)) of the VNB10N07-E MOSFET?
The gate threshold voltage (VGS(th)) of the VNB10N07-E MOSFET is typically 2.5 volts.
9. Can the VNB10N07-E MOSFET be operated in parallel for higher current capability?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET can be operated in parallel to achieve higher current capability.
10. What package type is used for the VNB10N07-E MOSFET?
The VNB10N07-E MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.
VNB10N07-E Связанные ключевые слова
:
VNB10N07-E Цена
VNB10N07-E Картина
VNB10N07-E Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"VNB1"
series
products
