6SD312EI Power Integrations MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
6SD312EI
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
6SD312EI Таблицы данных(PDF)
Channel Type :
Current - Peak Output (Source, Sink) :
Driven Configuration :
Gate Type :
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
Input Type :
Logic Voltage - VIL, VIH :
Mounting Type :
Number of Drivers :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Rise / Fall Time (Typ) :
Series :
Supplier Device Package :
Voltage - Supply :
в наличии
33,620
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
6SD312EI Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 6SD312EI более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc 6SD312EI. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 6SD312EI. Нажмите, чтобы получить предложение
6SD312EI Особенности
6SD312EI is produced by Power Integrations, belongs to PMIC - драйверы Gate.
6SD312EI Подробная информация о продукции
:
6SD312EI — это PMIC - драйверы Gate, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Power Integrations.
6SD312EI производства Power Integrations можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
6SD312EI компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 6SD312EI (PDF), цена 6SD312EI, Распиновка 6SD312EI, руководство 6SD312EI и решение на замену 6SD312EI.
6SD312EI производства Power Integrations можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
6SD312EI компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 6SD312EI (PDF), цена 6SD312EI, Распиновка 6SD312EI, руководство 6SD312EI и решение на замену 6SD312EI.
6SD312EI FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the 6SD312EI semiconductor?
The maximum operating temperature for the 6SD312EI semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 6SD312EI at a current of 10A?
The typical forward voltage drop for the 6SD312EI at a current of 10A is 1.2V.
3. Can the 6SD312EI handle reverse voltages? If so, what is the maximum reverse voltage it can withstand?
Yes, the 6SD312EI can handle reverse voltages. The maximum reverse voltage it can withstand is 600V.
4. What is the recommended storage temperature range for the 6SD312EI semiconductor?
The recommended storage temperature range for the 6SD312EI semiconductor is -55°C to 175°C.
5. Does the 6SD312EI have any built-in protection features against overcurrent or overvoltage conditions?
Yes, the 6SD312EI has built-in protection features against overcurrent and overvoltage conditions.
6. What is the typical junction-to-case thermal resistance for the 6SD312EI semiconductor?
The typical junction-to-case thermal resistance for the 6SD312EI semiconductor is 0.5°C/W.
7. Is the 6SD312EI suitable for use in automotive applications?
Yes, the 6SD312EI is suitable for use in automotive applications.
8. What is the maximum forward surge current rating for the 6SD312EI at a pulse width of 10ms?
The maximum forward surge current rating for the 6SD312EI at a pulse width of 10ms is 300A.
9. Can the 6SD312EI be used in parallel configurations for higher current applications?
Yes, the 6SD312EI can be used in parallel configurations for higher current applications.
10. What is the typical reverse recovery time for the 6SD312EI at a di/dt of 100A/μs?
The typical reverse recovery time for the 6SD312EI at a di/dt of 100A/μs is 35ns.
The maximum operating temperature for the 6SD312EI semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 6SD312EI at a current of 10A?
The typical forward voltage drop for the 6SD312EI at a current of 10A is 1.2V.
3. Can the 6SD312EI handle reverse voltages? If so, what is the maximum reverse voltage it can withstand?
Yes, the 6SD312EI can handle reverse voltages. The maximum reverse voltage it can withstand is 600V.
4. What is the recommended storage temperature range for the 6SD312EI semiconductor?
The recommended storage temperature range for the 6SD312EI semiconductor is -55°C to 175°C.
5. Does the 6SD312EI have any built-in protection features against overcurrent or overvoltage conditions?
Yes, the 6SD312EI has built-in protection features against overcurrent and overvoltage conditions.
6. What is the typical junction-to-case thermal resistance for the 6SD312EI semiconductor?
The typical junction-to-case thermal resistance for the 6SD312EI semiconductor is 0.5°C/W.
7. Is the 6SD312EI suitable for use in automotive applications?
Yes, the 6SD312EI is suitable for use in automotive applications.
8. What is the maximum forward surge current rating for the 6SD312EI at a pulse width of 10ms?
The maximum forward surge current rating for the 6SD312EI at a pulse width of 10ms is 300A.
9. Can the 6SD312EI be used in parallel configurations for higher current applications?
Yes, the 6SD312EI can be used in parallel configurations for higher current applications.
10. What is the typical reverse recovery time for the 6SD312EI at a di/dt of 100A/μs?
The typical reverse recovery time for the 6SD312EI at a di/dt of 100A/μs is 35ns.
6SD312EI Связанные ключевые слова
:
6SD312EI Цена
6SD312EI Картина
6SD312EI Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1