MUN5111T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
MUN5111T1G
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
MUN5111T1G Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
44,313
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MUN5111T1G Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MUN5111T1G более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc MUN5111T1G. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MUN5111T1G. Нажмите, чтобы получить предложение
MUN5111T1G Особенности
MUN5111T1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
MUN5111T1G Подробная информация о продукции
:
MUN5111T1G — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
ON Semiconductor.
MUN5111T1G производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MUN5111T1G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MUN5111T1G (PDF), цена MUN5111T1G, Распиновка MUN5111T1G, руководство MUN5111T1G и решение на замену MUN5111T1G.
MUN5111T1G производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MUN5111T1G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MUN5111T1G (PDF), цена MUN5111T1G, Распиновка MUN5111T1G, руководство MUN5111T1G и решение на замену MUN5111T1G.
MUN5111T1G FAQ
:
1. What is the maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G?
The maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G is 100 mA.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G is 50 V.
3. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G is 5 V.
4. What is the DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G?
The DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G is 40 to 250.
5. What is the maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G?
The maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G is 225 mW.
6. What is the operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G?
The operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G is -55°C to +150°C.
7. What is the thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G?
The thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G is 357°C/W.
8. What is the package type for MUN5111T1G?
MUN5111T1G comes in a SOT-223 package.
9. Is MUN5111T1G RoHS compliant?
Yes, MUN5111T1G is RoHS compliant.
10. What are the typical applications for MUN5111T1G?
MUN5111T1G is commonly used in general purpose switching and amplification applications.
The maximum continuous collector current (IC) for MUN5111T1G is 100 mA.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MUN5111T1G is 50 V.
3. What is the maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G?
The maximum base-emitter voltage (VBE) for MUN5111T1G is 5 V.
4. What is the DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G?
The DC current gain (hFE) range for MUN5111T1G is 40 to 250.
5. What is the maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G?
The maximum power dissipation (PD) for MUN5111T1G is 225 mW.
6. What is the operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G?
The operating and storage junction temperature range for MUN5111T1G is -55°C to +150°C.
7. What is the thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G?
The thermal resistance, junction to ambient (RθJA) for MUN5111T1G is 357°C/W.
8. What is the package type for MUN5111T1G?
MUN5111T1G comes in a SOT-223 package.
9. Is MUN5111T1G RoHS compliant?
Yes, MUN5111T1G is RoHS compliant.
10. What are the typical applications for MUN5111T1G?
MUN5111T1G is commonly used in general purpose switching and amplification applications.
MUN5111T1G Связанные ключевые слова
:
MUN5111T1G Цена
MUN5111T1G Картина
MUN5111T1G Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MUN5"
series
products
