IMD10AMT1G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
IMD10AMT1G
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
12,492
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IMD10AMT1G Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IMD10AMT1G более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IMD10AMT1G. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IMD10AMT1G. Нажмите, чтобы получить предложение
IMD10AMT1G Особенности
IMD10AMT1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые.
IMD10AMT1G Подробная информация о продукции
:
IMD10AMT1G — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
ON Semiconductor.
IMD10AMT1G производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IMD10AMT1G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IMD10AMT1G (PDF), цена IMD10AMT1G, Распиновка IMD10AMT1G, руководство IMD10AMT1G и решение на замену IMD10AMT1G.
IMD10AMT1G производства ON Semiconductor можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IMD10AMT1G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IMD10AMT1G (PDF), цена IMD10AMT1G, Распиновка IMD10AMT1G, руководство IMD10AMT1G и решение на замену IMD10AMT1G.
IMD10AMT1G FAQ
:
1. What is the maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G?
The maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G is 3.7A.
2. What is the typical gate-source threshold voltage for this semiconductor?
The typical gate-source threshold voltage for the IMD10AMT1G is 2V.
3. Can you provide the maximum power dissipation for this device?
The maximum power dissipation for the IMD10AMT1G is 2.5W.
4. What is the on-state resistance of the IMD10AMT1G at a specified gate-source voltage?
The on-state resistance of the IMD10AMT1G at a gate-source voltage of 10V is typically 0.045 ohms.
5. What is the typical input capacitance of the IMD10AMT1G?
The typical input capacitance of the IMD10AMT1G is 1100pF.
6. Can you explain the typical turn-on delay time for this semiconductor?
The typical turn-on delay time for the IMD10AMT1G is 8.5ns.
7. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the IMD10AMT1G is 175°C.
8. Can you provide the typical reverse recovery time for the diode in this semiconductor?
The typical reverse recovery time for the diode in the IMD10AMT1G is 35ns.
9. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for this component?
The typical thermal resistance from junction to ambient for the IMD10AMT1G is 62°C/W.
10. Can you explain the maximum storage temperature for this semiconductor?
The maximum storage temperature for the IMD10AMT1G is -55°C to 175°C.
The maximum continuous drain current for the IMD10AMT1G is 3.7A.
2. What is the typical gate-source threshold voltage for this semiconductor?
The typical gate-source threshold voltage for the IMD10AMT1G is 2V.
3. Can you provide the maximum power dissipation for this device?
The maximum power dissipation for the IMD10AMT1G is 2.5W.
4. What is the on-state resistance of the IMD10AMT1G at a specified gate-source voltage?
The on-state resistance of the IMD10AMT1G at a gate-source voltage of 10V is typically 0.045 ohms.
5. What is the typical input capacitance of the IMD10AMT1G?
The typical input capacitance of the IMD10AMT1G is 1100pF.
6. Can you explain the typical turn-on delay time for this semiconductor?
The typical turn-on delay time for the IMD10AMT1G is 8.5ns.
7. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the IMD10AMT1G is 175°C.
8. Can you provide the typical reverse recovery time for the diode in this semiconductor?
The typical reverse recovery time for the diode in the IMD10AMT1G is 35ns.
9. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for this component?
The typical thermal resistance from junction to ambient for the IMD10AMT1G is 62°C/W.
10. Can you explain the maximum storage temperature for this semiconductor?
The maximum storage temperature for the IMD10AMT1G is -55°C to 175°C.
IMD10AMT1G Связанные ключевые слова
:
IMD10AMT1G Цена
IMD10AMT1G Картина
IMD10AMT1G Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IMD1"
series
products