BGD816L,112 NXP USA Inc. IC AMP GAIN PWR 860MHZ SOT115J
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
BGD816L,112
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC AMP GAIN PWR 860MHZ SOT115J
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
BGD816L,112 Таблицы данных(PDF)
-3db Bandwidth :
Applications :
Current - Output / Channel :
Current - Supply :
Mounting Type :
Number of Circuits :
Output Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Series :
Slew Rate :
Supplier Device Package :
Voltage - Supply, Single/Dual (±) :
в наличии
46,216
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
BGD816L,112 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BGD816L,112 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc BGD816L,112. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на BGD816L,112. Нажмите, чтобы получить предложение
BGD816L,112 Особенности
BGD816L,112 is produced by NXP USA Inc., belongs to Линейные - Усилители - Видеомодули и модули.
BGD816L,112 Подробная информация о продукции
:
BGD816L,112 — это Линейные - Усилители - Видеомодули и модули, буферные усилители, разработанные и
произведенные
NXP USA Inc..
BGD816L,112 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BGD816L,112 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BGD816L,112 (PDF), цена BGD816L,112, Распиновка BGD816L,112, руководство BGD816L,112 и решение на замену BGD816L,112.
BGD816L,112 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BGD816L,112 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BGD816L,112 (PDF), цена BGD816L,112, Распиновка BGD816L,112, руководство BGD816L,112 и решение на замену BGD816L,112.
BGD816L,112 FAQ
:
1. What is the maximum continuous collector current (IC) for BGD816L,112?
The maximum continuous collector current (IC) for BGD816L,112 is 8 A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD816L,112?
The maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD816L,112 is 100 V.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BGD816L,112?
The maximum power dissipation (Ptot) for BGD816L,112 is 125 W.
4. What is the typical DC current gain (hFE) for BGD816L,112?
The typical DC current gain (hFE) for BGD816L,112 is 40.
5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD816L,112?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD816L,112 is 62 °C/W.
6. What is the storage temperature range for BGD816L,112?
The storage temperature range for BGD816L,112 is -65 to +150 °C.
7. What is the operating junction temperature (Tj) for BGD816L,112?
The operating junction temperature (Tj) for BGD816L,112 is -40 to +150 °C.
8. What is the gate-source threshold voltage (VGS(th)) for BGD816L,112?
The gate-source threshold voltage (VGS(th)) for BGD816L,112 is 1.5 V.
9. What is the input capacitance (Ciss) for BGD816L,112?
The input capacitance (Ciss) for BGD816L,112 is 1100 pF.
10. What is the output capacitance (Coss) for BGD816L,112?
The output capacitance (Coss) for BGD816L,112 is 180 pF.
The maximum continuous collector current (IC) for BGD816L,112 is 8 A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD816L,112?
The maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD816L,112 is 100 V.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BGD816L,112?
The maximum power dissipation (Ptot) for BGD816L,112 is 125 W.
4. What is the typical DC current gain (hFE) for BGD816L,112?
The typical DC current gain (hFE) for BGD816L,112 is 40.
5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD816L,112?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD816L,112 is 62 °C/W.
6. What is the storage temperature range for BGD816L,112?
The storage temperature range for BGD816L,112 is -65 to +150 °C.
7. What is the operating junction temperature (Tj) for BGD816L,112?
The operating junction temperature (Tj) for BGD816L,112 is -40 to +150 °C.
8. What is the gate-source threshold voltage (VGS(th)) for BGD816L,112?
The gate-source threshold voltage (VGS(th)) for BGD816L,112 is 1.5 V.
9. What is the input capacitance (Ciss) for BGD816L,112?
The input capacitance (Ciss) for BGD816L,112 is 1100 pF.
10. What is the output capacitance (Coss) for BGD816L,112?
The output capacitance (Coss) for BGD816L,112 is 180 pF.
BGD816L,112 Связанные ключевые слова
:
BGD816L,112 Цена
BGD816L,112 Картина
BGD816L,112 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"BGD8"
series
products
