WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. PDTB123EQAZ Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 3DFN
PDTB123EQAZ Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 3DFN
PDTB123EQAZ Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 3DFN

PDTB123EQAZ Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 3DFN

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
PDTB123EQAZ
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
PDTB123EQAZ Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
50,837
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

PDTB123EQAZ Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTB123EQAZ более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc PDTB123EQAZ. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на PDTB123EQAZ. Нажмите, чтобы получить предложение
 

PDTB123EQAZ Особенности

PDTB123EQAZ is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
  

PDTB123EQAZ Подробная информация о продукции

:
PDTB123EQAZ — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Nexperia USA Inc..
PDTB123EQAZ производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTB123EQAZ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTB123EQAZ (PDF), цена PDTB123EQAZ, Распиновка PDTB123EQAZ, руководство PDTB123EQAZ и решение на замену PDTB123EQAZ.
  

PDTB123EQAZ FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the PDTB123EQAZ semiconductor?
The maximum operating temperature for the PDTB123EQAZ semiconductor is 150°C.

2. What is the typical voltage rating for the PDTB123EQAZ semiconductor?
The typical voltage rating for the PDTB123EQAZ semiconductor is 30V.

3. Can the PDTB123EQAZ semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the PDTB123EQAZ semiconductor can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.

4. What is the recommended storage temperature for the PDTB123EQAZ semiconductor?
The recommended storage temperature for the PDTB123EQAZ semiconductor is -55°C to 150°C.

5. Does the PDTB123EQAZ semiconductor have built-in protection features against overcurrent or overvoltage?
No, the PDTB123EQAZ semiconductor does not have built-in protection features against overcurrent or overvoltage.

6. What is the typical gain bandwidth product for the PDTB123EQAZ semiconductor?
The typical gain bandwidth product for the PDTB123EQAZ semiconductor is 250MHz.

7. Is the PDTB123EQAZ semiconductor RoHS compliant?
Yes, the PDTB123EQAZ semiconductor is RoHS compliant, meeting the requirements for lead-free and environmentally friendly manufacturing.

8. What is the recommended soldering temperature profile for the PDTB123EQAZ semiconductor?
The recommended soldering temperature profile for the PDTB123EQAZ semiconductor is a peak temperature of 260°C for up to 10 seconds.

9. Can the PDTB123EQAZ semiconductor be operated in parallel to increase current handling capability?
Yes, the PDTB123EQAZ semiconductor can be operated in parallel to increase current handling capability, with proper thermal management.

10. What is the typical on-state voltage drop for the PDTB123EQAZ semiconductor?
The typical on-state voltage drop for the PDTB123EQAZ semiconductor is 0.95V at a collector current of 100mA.
  

PDTB123EQAZ Связанные ключевые слова

:
PDTB123EQAZ Цена
PDTB123EQAZ Техническая спецификация
PDTB123EQAZ Картина
PDTB123EQAZ PDF
PDTB123EQAZ Технические характеристики
PDTB123EQAZ Напряжение на выводе
PDTB123EQAZ Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "PDTB" series products