PDTB113EQAZ Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PDTB113EQAZ
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
PDTB113EQAZ Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
18,860
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PDTB113EQAZ Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTB113EQAZ более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PDTB113EQAZ. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PDTB113EQAZ. Нажмите, чтобы получить предложение
PDTB113EQAZ Особенности
PDTB113EQAZ is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
PDTB113EQAZ Подробная информация о продукции
:
PDTB113EQAZ — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Nexperia USA Inc..
PDTB113EQAZ производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTB113EQAZ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTB113EQAZ (PDF), цена PDTB113EQAZ, Распиновка PDTB113EQAZ, руководство PDTB113EQAZ и решение на замену PDTB113EQAZ.
PDTB113EQAZ производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTB113EQAZ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTB113EQAZ (PDF), цена PDTB113EQAZ, Распиновка PDTB113EQAZ, руководство PDTB113EQAZ и решение на замену PDTB113EQAZ.
PDTB113EQAZ FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the PDTB113EQAZ semiconductor?
The maximum operating temperature for the PDTB113EQAZ semiconductor is 150°C.
2. What is the typical collector current for the PDTB113EQAZ transistor?
The typical collector current for the PDTB113EQAZ transistor is 100mA.
3. What is the voltage rating for the PDTB113EQAZ transistor?
The voltage rating for the PDTB113EQAZ transistor is 50V.
4. Can the PDTB113EQAZ be used in high-frequency applications?
Yes, the PDTB113EQAZ can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
5. What is the typical gain of the PDTB113EQAZ transistor?
The typical gain of the PDTB113EQAZ transistor is 250.
6. Is the PDTB113EQAZ suitable for use in automotive electronics?
Yes, the PDTB113EQAZ is suitable for use in automotive electronics due to its robust design and performance.
7. What is the package type for the PDTB113EQAZ semiconductor?
The PDTB113EQAZ semiconductor comes in a SOT-416 package type.
8. Does the PDTB113EQAZ require external heat sinking for normal operation?
No, the PDTB113EQAZ does not require external heat sinking for normal operation due to its low power dissipation.
9. Can the PDTB113EQAZ be used in switching power supply designs?
Yes, the PDTB113EQAZ can be used in switching power supply designs due to its high-speed switching capabilities.
10. What is the typical input capacitance of the PDTB113EQAZ transistor?
The typical input capacitance of the PDTB113EQAZ transistor is 2.5pF.
The maximum operating temperature for the PDTB113EQAZ semiconductor is 150°C.
2. What is the typical collector current for the PDTB113EQAZ transistor?
The typical collector current for the PDTB113EQAZ transistor is 100mA.
3. What is the voltage rating for the PDTB113EQAZ transistor?
The voltage rating for the PDTB113EQAZ transistor is 50V.
4. Can the PDTB113EQAZ be used in high-frequency applications?
Yes, the PDTB113EQAZ can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
5. What is the typical gain of the PDTB113EQAZ transistor?
The typical gain of the PDTB113EQAZ transistor is 250.
6. Is the PDTB113EQAZ suitable for use in automotive electronics?
Yes, the PDTB113EQAZ is suitable for use in automotive electronics due to its robust design and performance.
7. What is the package type for the PDTB113EQAZ semiconductor?
The PDTB113EQAZ semiconductor comes in a SOT-416 package type.
8. Does the PDTB113EQAZ require external heat sinking for normal operation?
No, the PDTB113EQAZ does not require external heat sinking for normal operation due to its low power dissipation.
9. Can the PDTB113EQAZ be used in switching power supply designs?
Yes, the PDTB113EQAZ can be used in switching power supply designs due to its high-speed switching capabilities.
10. What is the typical input capacitance of the PDTB113EQAZ transistor?
The typical input capacitance of the PDTB113EQAZ transistor is 2.5pF.
PDTB113EQAZ Связанные ключевые слова
:
PDTB113EQAZ Цена
PDTB113EQAZ Картина
PDTB113EQAZ Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PDTB"
series
products
