+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Диоды - Зенера - Одноместный
  5. 1N5530B (DO35) Microsemi Corporation DIODE ZENER 10V 500MW DO35
1N5530B (DO35) Microsemi Corporation DIODE ZENER 10V 500MW DO35
1N5530B (DO35) Microsemi Corporation DIODE ZENER 10V 500MW DO35

1N5530B (DO35) Microsemi Corporation DIODE ZENER 10V 500MW DO35

Дискретные полупроводниковые приборы     DO-204AH, DO-35, Axial
Номер производителя:
1N5530B (DO35)
Производитель:
Microsemi Corporation
Категория продукции:
Диоды - Зенера - Одноместный
Описание:
DIODE ZENER 10V 500MW DO35
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
1N5530B (DO35) Таблицы данных(PDF)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50nA @ 9.1V
Impedance (Max) (Zzt) :
60 Ohms
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 175°C
Package / Case :
DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging :
Bulk
Part Status :
Active
Power - Max :
500mW
Series :
-
Supplier Device Package :
DO-35
Tolerance :
±5%
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 200mA
Voltage - Zener (Nom) (Vz) :
10V
в наличии
36,052
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

1N5530B (DO35) Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 1N5530B (DO35) более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc 1N5530B (DO35). Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на 1N5530B (DO35). Нажмите, чтобы получить предложение
 

1N5530B (DO35) Особенности

1N5530B (DO35) is produced by Microsemi Corporation, belongs to Диоды - Зенера - Одноместный, and its best working temperature is -65°C ~ 175°C, the size is DO-204AH, DO-35, Axial, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, using DO-35.
  

1N5530B (DO35) Подробная информация о продукции

:
1N5530B (DO35) — это Диоды - Зенера - Одноместный, буферные усилители, разработанные и произведенные Microsemi Corporation.
1N5530B (DO35) производства Microsemi Corporation можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
1N5530B (DO35) компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 1N5530B (DO35) (PDF), цена 1N5530B (DO35), Распиновка 1N5530B (DO35), руководство 1N5530B (DO35) и решение на замену 1N5530B (DO35).
  

1N5530B (DO35) FAQ

:
1. What is the maximum repetitive peak reverse voltage for the 1N5530B (DO35) diode?
The maximum repetitive peak reverse voltage for the 1N5530B (DO35) diode is 200 volts.

2. What is the average forward current rating for the 1N5530B (DO35) diode?
The average forward current rating for the 1N5530B (DO35) diode is 150 mA.

3. What is the peak forward surge current for the 1N5530B (DO35) diode?
The peak forward surge current for the 1N5530B (DO35) diode is 2 A.

4. What is the typical junction capacitance for the 1N5530B (DO35) diode at 4 V, 1 MHz?
The typical junction capacitance for the 1N5530B (DO35) diode at 4 V, 1 MHz is 4 pF.

5. What is the maximum reverse leakage current for the 1N5530B (DO35) diode at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current for the 1N5530B (DO35) diode at its rated voltage is 5 µA.

6. What is the forward voltage drop for the 1N5530B (DO35) diode at a forward current of 10 mA?
The forward voltage drop for the 1N5530B (DO35) diode at a forward current of 10 mA is 1 V.

7. What is the operating and storage temperature range for the 1N5530B (DO35) diode?
The operating and storage temperature range for the 1N5530B (DO35) diode is -65°C to +175°C.

8. What is the thermal resistance junction to ambient for the 1N5530B (DO35) diode?
The thermal resistance junction to ambient for the 1N5530B (DO35) diode is 300°C/W.

9. What is the maximum reverse recovery time for the 1N5530B (DO35) diode at a forward current of 50 mA?
The maximum reverse recovery time for the 1N5530B (DO35) diode at a forward current of 50 mA is 4 ns.

10. What is the package type and weight for the 1N5530B (DO35) diode?
The package type for the 1N5530B (DO35) diode is DO-35 and its weight is approximately 0.13 grams.
  

1N5530B (DO35) Связанные ключевые слова

:
1N5530B (DO35) Цена
1N5530B (DO35) Техническая спецификация
1N5530B (DO35) Картина
1N5530B (DO35) PDF
1N5530B (DO35) Технические характеристики
1N5530B (DO35) Напряжение на выводе
1N5530B (DO35) Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "1N55" series products