FP0100N8-G Microchip Technology IC PWR MGMT SWITCH SOT89-3

Интегральные схемы (ИС)     
Номер производителя:
FP0100N8-G
Производитель:
Описание:
IC PWR MGMT SWITCH SOT89-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Accuracy :
Current - Output :
Function :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Sensing Method :
Series :
Supplier Device Package :
Voltage - Input :
в наличии
31,947
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

FP0100N8-G Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить FP0100N8-G более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc FP0100N8-G. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на FP0100N8-G. Нажмите, чтобы получить предложение
 

FP0100N8-G Особенности

FP0100N8-G is produced by Microchip Technology, belongs to PMIC - Текущее регулирование / управление.
  

FP0100N8-G Подробная информация о продукции

:
FP0100N8-G — это PMIC - Текущее регулирование / управление, буферные усилители, разработанные и произведенные Microchip Technology.
FP0100N8-G производства Microchip Technology можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
FP0100N8-G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных FP0100N8-G (PDF), цена FP0100N8-G, Распиновка FP0100N8-G, руководство FP0100N8-G и решение на замену FP0100N8-G.
  

FP0100N8-G FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for the FP0100N8-G MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the FP0100N8-G MOSFET is 80V.

2. What is the continuous drain current rating of the FP0100N8-G MOSFET?
The continuous drain current rating of the FP0100N8-G MOSFET is 100A.

3. Can the FP0100N8-G MOSFET be used in high-temperature applications?
Yes, the FP0100N8-G MOSFET is designed to operate in high-temperature environments with a maximum junction temperature of 175°C.

4. What is the on-resistance (RDS(on)) of the FP0100N8-G MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the FP0100N8-G MOSFET is typically 1.8mΩ at VGS = 10V.

5. Does the FP0100N8-G MOSFET require a heat sink for normal operation?
It is recommended to use a heat sink for the FP0100N8-G MOSFET to ensure optimal thermal performance, especially in high-current applications.

6. What is the gate-source threshold voltage of the FP0100N8-G MOSFET?
The gate-source threshold voltage of the FP0100N8-G MOSFET is typically 2.5V.

7. Is the FP0100N8-G MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the FP0100N8-G MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.

8. What is the input capacitance of the FP0100N8-G MOSFET?
The input capacitance of the FP0100N8-G MOSFET is typically 6800pF at VDS = 25V, VGS = 0V, and f = 1MHz.

9. Can the FP0100N8-G MOSFET be used in switching power supply designs?
Yes, the FP0100N8-G MOSFET is well-suited for switching power supply designs due to its low on-resistance and high current capability.

10. What package type is the FP0100N8-G MOSFET available in?
The FP0100N8-G MOSFET is available in a TO-220 package for easy mounting and thermal management.
  

FP0100N8-G Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "FP01" series products