IX4R11S3T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
IX4R11S3T/R
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IX4R11S3T/R Таблицы данных(PDF)
Channel Type :
Current - Peak Output (Source, Sink) :
Driven Configuration :
Gate Type :
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
Input Type :
Logic Voltage - VIL, VIH :
Mounting Type :
Number of Drivers :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Rise / Fall Time (Typ) :
Series :
Supplier Device Package :
Voltage - Supply :
в наличии
17,792
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IX4R11S3T/R Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IX4R11S3T/R более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IX4R11S3T/R. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IX4R11S3T/R. Нажмите, чтобы получить предложение
IX4R11S3T/R Особенности
IX4R11S3T/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX4R11S3T/R Подробная информация о продукции
:
IX4R11S3T/R — это PMIC - драйверы Gate, буферные усилители, разработанные и
произведенные
IXYS.
IX4R11S3T/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IX4R11S3T/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IX4R11S3T/R (PDF), цена IX4R11S3T/R, Распиновка IX4R11S3T/R, руководство IX4R11S3T/R и решение на замену IX4R11S3T/R.
IX4R11S3T/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IX4R11S3T/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IX4R11S3T/R (PDF), цена IX4R11S3T/R, Распиновка IX4R11S3T/R, руководство IX4R11S3T/R и решение на замену IX4R11S3T/R.
IX4R11S3T/R FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum operating temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor is 20A.
5. Does the IX4R11S3T/R semiconductor require a heat sink for proper operation?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor requires a heat sink to dissipate heat effectively during operation.
6. What is the typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode?
The typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode is 35ns.
7. Is the IX4R11S3T/R semiconductor suitable for automotive applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor is suitable for automotive applications due to its rugged construction and reliability.
8. What is the maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 175°C.
9. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be operated in parallel for higher current applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be operated in parallel to achieve higher current handling capabilities.
10. What is the typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature?
The typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature is 10μA.
The maximum operating temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor is 20A.
5. Does the IX4R11S3T/R semiconductor require a heat sink for proper operation?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor requires a heat sink to dissipate heat effectively during operation.
6. What is the typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode?
The typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode is 35ns.
7. Is the IX4R11S3T/R semiconductor suitable for automotive applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor is suitable for automotive applications due to its rugged construction and reliability.
8. What is the maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 175°C.
9. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be operated in parallel for higher current applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be operated in parallel to achieve higher current handling capabilities.
10. What is the typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature?
The typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature is 10μA.
IX4R11S3T/R Связанные ключевые слова
:
IX4R11S3T/R Цена
IX4R11S3T/R Картина
IX4R11S3T/R Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IX4R"
series
products
