IX2A11S1T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
IX2A11S1T/R
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
Channel Type :
Current - Peak Output (Source, Sink) :
Driven Configuration :
Gate Type :
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
Input Type :
Logic Voltage - VIL, VIH :
Mounting Type :
Number of Drivers :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Rise / Fall Time (Typ) :
Series :
Supplier Device Package :
Voltage - Supply :
в наличии
59,362
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IX2A11S1T/R Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IX2A11S1T/R более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IX2A11S1T/R. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IX2A11S1T/R. Нажмите, чтобы получить предложение
IX2A11S1T/R Особенности
IX2A11S1T/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX2A11S1T/R Подробная информация о продукции
:
IX2A11S1T/R — это PMIC - драйверы Gate, буферные усилители, разработанные и
произведенные
IXYS.
IX2A11S1T/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IX2A11S1T/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IX2A11S1T/R (PDF), цена IX2A11S1T/R, Распиновка IX2A11S1T/R, руководство IX2A11S1T/R и решение на замену IX2A11S1T/R.
IX2A11S1T/R производства IXYS можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IX2A11S1T/R компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IX2A11S1T/R (PDF), цена IX2A11S1T/R, Распиновка IX2A11S1T/R, руководство IX2A11S1T/R и решение на замену IX2A11S1T/R.
IX2A11S1T/R FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the IX2A11S1T/R semiconductor?
The maximum operating temperature for the IX2A11S1T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX2A11S1T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX2A11S1T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX2A11S1T/R handle high-frequency applications?
Yes, the IX2A11S1T/R is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the reverse recovery time of the IX2A11S1T/R diode?
The reverse recovery time of the IX2A11S1T/R diode is typically 50ns.
5. Is the IX2A11S1T/R suitable for automotive applications?
Yes, the IX2A11S1T/R is suitable for automotive applications and meets relevant industry standards.
6. What is the maximum forward current rating for the IX2A11S1T/R diode?
The maximum forward current rating for the IX2A11S1T/R diode is 1A.
7. Does the IX2A11S1T/R have built-in ESD protection?
Yes, the IX2A11S1T/R features built-in ESD protection for enhanced reliability.
8. What is the typical junction capacitance of the IX2A11S1T/R diode?
The typical junction capacitance of the IX2A11S1T/R diode is 15pF.
9. Can the IX2A11S1T/R be used in power supply applications?
Yes, the IX2A11S1T/R can be used in power supply applications with appropriate design considerations.
10. What is the package type of the IX2A11S1T/R semiconductor?
The IX2A11S1T/R semiconductor is available in a compact SOT-23 package for easy integration into various electronic designs.
The maximum operating temperature for the IX2A11S1T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX2A11S1T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX2A11S1T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX2A11S1T/R handle high-frequency applications?
Yes, the IX2A11S1T/R is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the reverse recovery time of the IX2A11S1T/R diode?
The reverse recovery time of the IX2A11S1T/R diode is typically 50ns.
5. Is the IX2A11S1T/R suitable for automotive applications?
Yes, the IX2A11S1T/R is suitable for automotive applications and meets relevant industry standards.
6. What is the maximum forward current rating for the IX2A11S1T/R diode?
The maximum forward current rating for the IX2A11S1T/R diode is 1A.
7. Does the IX2A11S1T/R have built-in ESD protection?
Yes, the IX2A11S1T/R features built-in ESD protection for enhanced reliability.
8. What is the typical junction capacitance of the IX2A11S1T/R diode?
The typical junction capacitance of the IX2A11S1T/R diode is 15pF.
9. Can the IX2A11S1T/R be used in power supply applications?
Yes, the IX2A11S1T/R can be used in power supply applications with appropriate design considerations.
10. What is the package type of the IX2A11S1T/R semiconductor?
The IX2A11S1T/R semiconductor is available in a compact SOT-23 package for easy integration into various electronic designs.
IX2A11S1T/R Связанные ключевые слова
:
IX2A11S1T/R Цена
IX2A11S1T/R Картина
IX2A11S1T/R Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IX2A"
series
products
