+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. SPB100N03S203T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
SPB100N03S203T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
SPB100N03S203T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

SPB100N03S203T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Номер производителя:
SPB100N03S203T
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
SPB100N03S203T Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
7020pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power Dissipation (Max) :
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 80A, 10V
Series :
OptiMOS™
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
в наличии
53,378
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

SPB100N03S203T Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SPB100N03S203T более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc SPB100N03S203T. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SPB100N03S203T. Нажмите, чтобы получить предложение
 

SPB100N03S203T Особенности

SPB100N03S203T is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the OptiMOS™ series, using PG-TO263-3-2.
  

SPB100N03S203T Подробная информация о продукции

:
SPB100N03S203T — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
SPB100N03S203T производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SPB100N03S203T компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SPB100N03S203T (PDF), цена SPB100N03S203T, Распиновка SPB100N03S203T, руководство SPB100N03S203T и решение на замену SPB100N03S203T.
  

SPB100N03S203T FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the SPB100N03S2-03T MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the SPB100N03S2-03T MOSFET is 30 volts.

2. What is the continuous drain current rating for the SPB100N03S2-03T MOSFET?
The continuous drain current rating for the SPB100N03S2-03T MOSFET is 100 amperes.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the SPB100N03S2-03T MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the SPB100N03S2-03T MOSFET is typically 3.2 milliohms.

4. Can the SPB100N03S2-03T MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the SPB100N03S2-03T MOSFET is suitable for use in automotive applications.

5. What is the operating temperature range for the SPB100N03S2-03T MOSFET?
The operating temperature range for the SPB100N03S2-03T MOSFET is -55°C to 175°C.

6. Does the SPB100N03S2-03T MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It's recommended to consult the datasheet for thermal considerations.

7. Is the SPB100N03S2-03T MOSFET suitable for switching applications?
Yes, the SPB100N03S2-03T MOSFET is well-suited for high-speed switching applications.

8. What is the gate threshold voltage for the SPB100N03S2-03T MOSFET?
The gate threshold voltage for the SPB100N03S2-03T MOSFET is typically 2.5 volts.

9. Can the SPB100N03S2-03T MOSFET be used in low-side or high-side switch configurations?
The SPB100N03S2-03T MOSFET can be used in both low-side and high-side switch configurations.

10. What package type is the SPB100N03S2-03T MOSFET available in?
The SPB100N03S2-03T MOSFET is available in a TO-263 (D2PAK) package.
  

SPB100N03S203T Связанные ключевые слова

:
SPB100N03S203T Цена
SPB100N03S203T Техническая спецификация
SPB100N03S203T Картина
SPB100N03S203T PDF
SPB100N03S203T Технические характеристики
SPB100N03S203T Напряжение на выводе
SPB100N03S203T Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "SPB1" series products