SIDC01D120H6 Infineon Technologies DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
Дискретные полупроводниковые приборы Die
Номер производителя:
SIDC01D120H6
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
SIDC01D120H6 Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
600mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
27µA @ 1200V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
Die
Packaging :
Bulk
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Series :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 600mA
в наличии
41,860
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SIDC01D120H6 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SIDC01D120H6 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc SIDC01D120H6. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SIDC01D120H6. Нажмите, чтобы получить предложение
SIDC01D120H6 Особенности
SIDC01D120H6 is produced by Infineon Technologies, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is Die, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), using Sawn on foil.
SIDC01D120H6 Подробная информация о продукции
:
SIDC01D120H6 — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
SIDC01D120H6 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SIDC01D120H6 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SIDC01D120H6 (PDF), цена SIDC01D120H6, Распиновка SIDC01D120H6, руководство SIDC01D120H6 и решение на замену SIDC01D120H6.
SIDC01D120H6 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SIDC01D120H6 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SIDC01D120H6 (PDF), цена SIDC01D120H6, Распиновка SIDC01D120H6, руководство SIDC01D120H6 и решение на замену SIDC01D120H6.
SIDC01D120H6 FAQ
:
1. What is the maximum continuous drain current of the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The maximum continuous drain current of the SIDC01D120H6 semiconductor device is 120A.
2. What is the typical gate threshold voltage of the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The typical gate threshold voltage of the SIDC01D120H6 semiconductor device is 4V.
3. What is the on-state resistance of the SIDC01D120H6 semiconductor device at a specified temperature and current?
The on-state resistance of the SIDC01D120H6 semiconductor device is typically 1.2mΩ at 25°C and 60A.
4. Can the SIDC01D120H6 semiconductor device handle high-frequency switching applications?
Yes, the SIDC01D120H6 semiconductor device is suitable for high-frequency switching applications.
5. What is the maximum junction temperature rating of the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The maximum junction temperature rating of the SIDC01D120H6 semiconductor device is 150°C.
6. Does the SIDC01D120H6 semiconductor device have built-in protection features against overcurrent or overtemperature conditions?
Yes, the SIDC01D120H6 semiconductor device includes built-in protection features against overcurrent and overtemperature conditions.
7. What is the input capacitance of the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The input capacitance of the SIDC01D120H6 semiconductor device is typically 5200pF.
8. Is the SIDC01D120H6 semiconductor device RoHS compliant?
Yes, the SIDC01D120H6 semiconductor device is RoHS compliant.
9. What is the recommended gate drive voltage for the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The recommended gate drive voltage for the SIDC01D120H6 semiconductor device is 15V.
10. Can the SIDC01D120H6 semiconductor device be used in parallel to achieve higher current handling capability?
Yes, the SIDC01D120H6 semiconductor device can be used in parallel to achieve higher current handling capability.
The maximum continuous drain current of the SIDC01D120H6 semiconductor device is 120A.
2. What is the typical gate threshold voltage of the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The typical gate threshold voltage of the SIDC01D120H6 semiconductor device is 4V.
3. What is the on-state resistance of the SIDC01D120H6 semiconductor device at a specified temperature and current?
The on-state resistance of the SIDC01D120H6 semiconductor device is typically 1.2mΩ at 25°C and 60A.
4. Can the SIDC01D120H6 semiconductor device handle high-frequency switching applications?
Yes, the SIDC01D120H6 semiconductor device is suitable for high-frequency switching applications.
5. What is the maximum junction temperature rating of the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The maximum junction temperature rating of the SIDC01D120H6 semiconductor device is 150°C.
6. Does the SIDC01D120H6 semiconductor device have built-in protection features against overcurrent or overtemperature conditions?
Yes, the SIDC01D120H6 semiconductor device includes built-in protection features against overcurrent and overtemperature conditions.
7. What is the input capacitance of the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The input capacitance of the SIDC01D120H6 semiconductor device is typically 5200pF.
8. Is the SIDC01D120H6 semiconductor device RoHS compliant?
Yes, the SIDC01D120H6 semiconductor device is RoHS compliant.
9. What is the recommended gate drive voltage for the SIDC01D120H6 semiconductor device?
The recommended gate drive voltage for the SIDC01D120H6 semiconductor device is 15V.
10. Can the SIDC01D120H6 semiconductor device be used in parallel to achieve higher current handling capability?
Yes, the SIDC01D120H6 semiconductor device can be used in parallel to achieve higher current handling capability.
SIDC01D120H6 Связанные ключевые слова
:
SIDC01D120H6 Цена
SIDC01D120H6 Картина
SIDC01D120H6 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SIDC"
series
products