IRL6372PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Номер производителя:

IRL6372PBF

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

IRL6372PBF Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

8.1A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

30V

FET Feature :

Logic Level Gate

FET Type :

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

11nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

1020pF @ 25V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Packaging :

Tube

Part Status :

Discontinued at Digi-Key

Power - Max :

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V

Series :

HEXFET®

Supplier Device Package :

8-SO

Vgs(th) (Max) @ Id :

1.1V @ 10µA

в наличии

30,456

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

IRL6372PBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRL6372PBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRL6372PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRL6372PBF. Нажмите, чтобы получить предложение

IRL6372PBF Особенности

IRL6372PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.

IRL6372PBF Подробная информация о продукции

IRL6372PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRL6372PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRL6372PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRL6372PBF (PDF), цена IRL6372PBF, Распиновка IRL6372PBF, руководство IRL6372PBF и решение на замену IRL6372PBF.

IRL6372PBF FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRL6372PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRL6372PBF MOSFET is 30 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRL6372PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRL6372PBF MOSFET is 240 amperes.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRL6372PBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRL6372PBF MOSFET is typically 1.4 milliohms at Vgs = 10V.

4. What is the gate-source voltage (Vgs) for the IRL6372PBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) for the IRL6372PBF MOSFET is ±20 volts.

5. What is the total power dissipation (Pd) of the IRL6372PBF MOSFET?
The total power dissipation (Pd) of the IRL6372PBF MOSFET is 375 watts.

6. What is the operating junction temperature (Tj) range for the IRL6372PBF MOSFET?
The operating junction temperature (Tj) range for the IRL6372PBF MOSFET is -55°C to +175°C.

7. What is the input capacitance (Ciss) of the IRL6372PBF MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRL6372PBF MOSFET is 6800 picofarads.

8. What is the output capacitance (Coss) of the IRL6372PBF MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the IRL6372PBF MOSFET is 470 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the IRL6372PBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the IRL6372PBF MOSFET is 150 picofarads.

10. What is the threshold voltage (Vgs(th)) of the IRL6372PBF MOSFET?
The threshold voltage (Vgs(th)) of the IRL6372PBF MOSFET is 2.0 volts.

IRL6372PBF Связанные ключевые слова

IRL6372PBF Цена

IRL6372PBF Техническая спецификация

IRL6372PBF Картина

IRL6372PBF PDF

IRL6372PBF Технические характеристики

IRL6372PBF Напряжение на выводе

IRL6372PBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "IRL6" series products

IRL630

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
IRL630

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
IRL630A

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
IRL630A

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
IRL630A

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
IRL630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
IRL630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK