IRFB4110GPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Дискретные полупроводниковые приборы TO-220-3
Номер производителя:
IRFB4110GPBF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IRFB4110GPBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
210nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
9620pF @ 50V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Packaging :
Tube
Part Status :
Not For New Designs
Power Dissipation (Max) :
370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
TO-220AB
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
в наличии
62,384
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRFB4110GPBF Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRFB4110GPBF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRFB4110GPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRFB4110GPBF. Нажмите, чтобы получить предложение
IRFB4110GPBF Особенности
IRFB4110GPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is TO-220-3, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using TO-220AB.
IRFB4110GPBF Подробная информация о продукции
:
IRFB4110GPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRFB4110GPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRFB4110GPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRFB4110GPBF (PDF), цена IRFB4110GPBF, Распиновка IRFB4110GPBF, руководство IRFB4110GPBF и решение на замену IRFB4110GPBF.
IRFB4110GPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRFB4110GPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRFB4110GPBF (PDF), цена IRFB4110GPBF, Распиновка IRFB4110GPBF, руководство IRFB4110GPBF и решение на замену IRFB4110GPBF.
IRFB4110GPBF FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage of the IRFB4110GPBF MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The continuous drain current rating of the IRFB4110GPBF MOSFET is 120A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRFB4110GPBF MOSFET is 4.5mΩ.
4. What is the gate-source voltage (VGS) for the IRFB4110GPBF MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) for the IRFB4110GPBF MOSFET is ±20V.
5. What is the total power dissipation of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The total power dissipation of the IRFB4110GPBF MOSFET is 310W.
6. What is the operating junction temperature range for the IRFB4110GPBF MOSFET?
The operating junction temperature range for the IRFB4110GPBF MOSFET is -55°C to 175°C.
7. Does the IRFB4110GPBF MOSFET have a fast switching speed?
Yes, the IRFB4110GPBF MOSFET has a fast switching speed suitable for high-frequency applications.
8. Is the IRFB4110GPBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRFB4110GPBF MOSFET is RoHS compliant.
9. What is the package type of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The package type of the IRFB4110GPBF MOSFET is TO-220AB.
10. Can the IRFB4110GPBF MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the IRFB4110GPBF MOSFET can be used in automotive applications due to its robust design and performance characteristics.
The maximum drain-source voltage of the IRFB4110GPBF MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The continuous drain current rating of the IRFB4110GPBF MOSFET is 120A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRFB4110GPBF MOSFET is 4.5mΩ.
4. What is the gate-source voltage (VGS) for the IRFB4110GPBF MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) for the IRFB4110GPBF MOSFET is ±20V.
5. What is the total power dissipation of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The total power dissipation of the IRFB4110GPBF MOSFET is 310W.
6. What is the operating junction temperature range for the IRFB4110GPBF MOSFET?
The operating junction temperature range for the IRFB4110GPBF MOSFET is -55°C to 175°C.
7. Does the IRFB4110GPBF MOSFET have a fast switching speed?
Yes, the IRFB4110GPBF MOSFET has a fast switching speed suitable for high-frequency applications.
8. Is the IRFB4110GPBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRFB4110GPBF MOSFET is RoHS compliant.
9. What is the package type of the IRFB4110GPBF MOSFET?
The package type of the IRFB4110GPBF MOSFET is TO-220AB.
10. Can the IRFB4110GPBF MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the IRFB4110GPBF MOSFET can be used in automotive applications due to its robust design and performance characteristics.
IRFB4110GPBF Связанные ключевые слова
:
IRFB4110GPBF Цена
IRFB4110GPBF Картина
IRFB4110GPBF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRFB"
series
products
