IRF8852TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP

Дискретные полупроводниковые приборы 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Номер производителя:

IRF8852TRPBF

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

Описание:

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

IRF8852TRPBF Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

7.8A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

25V

FET Feature :

Logic Level Gate

FET Type :

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

9.5nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

1151pF @ 20V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Obsolete

Power - Max :

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

11.3 mOhm @ 7.8A, 10V

Series :

HEXFET®

Supplier Device Package :

8-TSSOP

Vgs(th) (Max) @ Id :

2.35V @ 25µA

в наличии

39,896

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

IRF8852TRPBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF8852TRPBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF8852TRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF8852TRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение

IRF8852TRPBF Особенности

IRF8852TRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-TSSOP.

IRF8852TRPBF Подробная информация о продукции

IRF8852TRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF8852TRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF8852TRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF8852TRPBF (PDF), цена IRF8852TRPBF, Распиновка IRF8852TRPBF, руководство IRF8852TRPBF и решение на замену IRF8852TRPBF.

IRF8852TRPBF FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8852TRPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF8852TRPBF MOSFET is 30 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF8852TRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF8852TRPBF MOSFET is 20 amperes.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8852TRPBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF8852TRPBF MOSFET is typically 4.5 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 10 amperes.

4. What is the maximum junction temperature (Tj) of the IRF8852TRPBF MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) of the IRF8852TRPBF MOSFET is 175 degrees Celsius.

5. What is the gate-source voltage (Vgs) range for proper operation of the IRF8852TRPBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) range for proper operation of the IRF8852TRPBF MOSFET is -20 to +20 volts.

6. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF8852TRPBF MOSFET in the specified operating conditions?
The total power dissipation (Pd) of the IRF8852TRPBF MOSFET is 110 watts when operated within the specified operating conditions.

7. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF8852TRPBF MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF8852TRPBF MOSFET is typically 3600 picofarads.

8. What is the output capacitance (Coss) of the IRF8852TRPBF MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the IRF8852TRPBF MOSFET is typically 540 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF8852TRPBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF8852TRPBF MOSFET is typically 200 picofarads.

10. What are the recommended storage conditions for the IRF8852TRPBF MOSFET?
The recommended storage conditions for the IRF8852TRPBF MOSFET are a temperature range of -55 to 175 degrees Celsius and a humidity range of 0% to 90%.

IRF8852TRPBF Связанные ключевые слова

IRF8852TRPBF Цена

IRF8852TRPBF Техническая спецификация

IRF8852TRPBF Картина

IRF8852TRPBF PDF

IRF8852TRPBF Технические характеристики

IRF8852TRPBF Напряжение на выводе

IRF8852TRPBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "IRF8" series products

IRF8852TRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
IRF8852TRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
IRF8852TRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
IRF8852TRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
IRF8852TRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP