IRF6702M2DTRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Дискретные полупроводниковые приборы DirectFET™ Isometric MA
Номер производителя:
IRF6702M2DTRPBF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IRF6702M2DTRPBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
15A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1380pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
DirectFET™ Isometric MA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
2.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.6 mOhm @ 15A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MA
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
в наличии
54,864
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRF6702M2DTRPBF Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF6702M2DTRPBF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRF6702M2DTRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRF6702M2DTRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение
IRF6702M2DTRPBF Особенности
IRF6702M2DTRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is DirectFET™ Isometric MA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using DIRECTFET™ MA.
IRF6702M2DTRPBF Подробная информация о продукции
:
IRF6702M2DTRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRF6702M2DTRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF6702M2DTRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF6702M2DTRPBF (PDF), цена IRF6702M2DTRPBF, Распиновка IRF6702M2DTRPBF, руководство IRF6702M2DTRPBF и решение на замену IRF6702M2DTRPBF.
IRF6702M2DTRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF6702M2DTRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF6702M2DTRPBF (PDF), цена IRF6702M2DTRPBF, Распиновка IRF6702M2DTRPBF, руководство IRF6702M2DTRPBF и решение на замену IRF6702M2DTRPBF.
IRF6702M2DTRPBF FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is 20 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is typically 4.5 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 10 amperes.
4. What is the gate-source voltage (Vgs) range for proper operation of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) range for proper operation of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is -10 to +20 volts.
5. What is the total power dissipation (Pd) capability of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET in a typical application?
The total power dissipation (Pd) capability of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET in a typical application is 130 watts.
6. What is the operating junction temperature (Tj) range for the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The operating junction temperature (Tj) range for the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is -55 to +175 degrees Celsius.
7. Does the IRF6702M2DTRPBF MOSFET have built-in ESD protection features?
Yes, the IRF6702M2DTRPBF MOSFET has built-in ESD protection features.
8. What is the package type and footprint dimensions of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The IRF6702M2DTRPBF MOSFET is available in a DirectFET®2x2 package with dimensions of 6mm x 5mm.
9. Is the IRF6702M2DTRPBF MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is suitable for automotive applications.
10. What are the key differences between the IRF6702M2DTRPBF and its previous generation counterparts?
The key differences between the IRF6702M2DTRPBF and its previous generation counterparts include improved Rds(on), higher power dissipation capability, and enhanced ESD protection features.
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is 20 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is typically 4.5 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 10 amperes.
4. What is the gate-source voltage (Vgs) range for proper operation of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) range for proper operation of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is -10 to +20 volts.
5. What is the total power dissipation (Pd) capability of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET in a typical application?
The total power dissipation (Pd) capability of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET in a typical application is 130 watts.
6. What is the operating junction temperature (Tj) range for the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The operating junction temperature (Tj) range for the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is -55 to +175 degrees Celsius.
7. Does the IRF6702M2DTRPBF MOSFET have built-in ESD protection features?
Yes, the IRF6702M2DTRPBF MOSFET has built-in ESD protection features.
8. What is the package type and footprint dimensions of the IRF6702M2DTRPBF MOSFET?
The IRF6702M2DTRPBF MOSFET is available in a DirectFET®2x2 package with dimensions of 6mm x 5mm.
9. Is the IRF6702M2DTRPBF MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the IRF6702M2DTRPBF MOSFET is suitable for automotive applications.
10. What are the key differences between the IRF6702M2DTRPBF and its previous generation counterparts?
The key differences between the IRF6702M2DTRPBF and its previous generation counterparts include improved Rds(on), higher power dissipation capability, and enhanced ESD protection features.
IRF6702M2DTRPBF Связанные ключевые слова
:
IRF6702M2DTRPBF Цена
IRF6702M2DTRPBF Картина
IRF6702M2DTRPBF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRF6"
series
products