IDW30C65D1XKSA1 Infineon Technologies DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3
Дискретные полупроводниковые приборы TO-247-3
Номер производителя:
IDW30C65D1XKSA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IDW30C65D1XKSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
15A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
40µA @ 650V
Diode Configuration :
1 Pair Common Cathode
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-40°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-247-3
Packaging :
Tube
Part Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
71ns
Series :
Rapid 1
Speed :
Fast Recovery = 200mA (Io)
Supplier Device Package :
PG-TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 15A
в наличии
13,338
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IDW30C65D1XKSA1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IDW30C65D1XKSA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IDW30C65D1XKSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IDW30C65D1XKSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
IDW30C65D1XKSA1 Особенности
IDW30C65D1XKSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Диоды - выпрямители - массивы, the size is TO-247-3, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the Rapid 1 series, and has the speed of Fast Recovery = 200mA (Io), using PG-TO247-3.
IDW30C65D1XKSA1 Подробная информация о продукции
:
IDW30C65D1XKSA1 — это Диоды - выпрямители - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IDW30C65D1XKSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IDW30C65D1XKSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IDW30C65D1XKSA1 (PDF), цена IDW30C65D1XKSA1, Распиновка IDW30C65D1XKSA1, руководство IDW30C65D1XKSA1 и решение на замену IDW30C65D1XKSA1.
IDW30C65D1XKSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IDW30C65D1XKSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IDW30C65D1XKSA1 (PDF), цена IDW30C65D1XKSA1, Распиновка IDW30C65D1XKSA1, руководство IDW30C65D1XKSA1 и решение на замену IDW30C65D1XKSA1.
IDW30C65D1XKSA1 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The maximum drain-source voltage of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is 650V.
2. What is the continuous drain current rating for the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The continuous drain current rating for the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is 30A.
3. Can the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device handle high-temperature environments?
Yes, the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is designed to operate effectively in high-temperature environments.
4. What is the typical on-resistance of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The typical on-resistance of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is 0.065 ohms.
5. Does the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device require a heat sink for proper operation?
Yes, it is recommended to use a heat sink with the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device for optimal thermal performance.
6. What is the gate threshold voltage of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The gate threshold voltage of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is typically 4V.
7. Is the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device suitable for use in power switching applications?
Yes, the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is well-suited for power switching applications.
8. What is the maximum junction temperature for the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The maximum junction temperature for the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is 175°C.
9. Can the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device be used in automotive electronics applications?
Yes, the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is suitable for use in automotive electronics applications.
10. What is the input capacitance of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The input capacitance of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is typically 3700pF.
The maximum drain-source voltage of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is 650V.
2. What is the continuous drain current rating for the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The continuous drain current rating for the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is 30A.
3. Can the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device handle high-temperature environments?
Yes, the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is designed to operate effectively in high-temperature environments.
4. What is the typical on-resistance of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The typical on-resistance of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is 0.065 ohms.
5. Does the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device require a heat sink for proper operation?
Yes, it is recommended to use a heat sink with the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device for optimal thermal performance.
6. What is the gate threshold voltage of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The gate threshold voltage of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is typically 4V.
7. Is the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device suitable for use in power switching applications?
Yes, the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is well-suited for power switching applications.
8. What is the maximum junction temperature for the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The maximum junction temperature for the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is 175°C.
9. Can the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device be used in automotive electronics applications?
Yes, the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is suitable for use in automotive electronics applications.
10. What is the input capacitance of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device?
The input capacitance of the IDW30C65D1XKSA1 semiconductor device is typically 3700pF.
IDW30C65D1XKSA1 Связанные ключевые слова
:
IDW30C65D1XKSA1 Цена
IDW30C65D1XKSA1 Картина
IDW30C65D1XKSA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IDW3"
series
products
