IDB09E60ATMA1 Infineon Technologies DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
Дискретные полупроводниковые приборы TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Номер производителя:
IDB09E60ATMA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IDB09E60ATMA1 Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
19.3A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50µA @ 600V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
75ns
Series :
-
Speed :
Fast Recovery = 200mA (Io)
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2V @ 9A
в наличии
15,256
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IDB09E60ATMA1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IDB09E60ATMA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IDB09E60ATMA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IDB09E60ATMA1. Нажмите, чтобы получить предложение
IDB09E60ATMA1 Особенности
IDB09E60ATMA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of Fast Recovery = 200mA (Io), using PG-TO263-3.
IDB09E60ATMA1 Подробная информация о продукции
:
IDB09E60ATMA1 — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IDB09E60ATMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IDB09E60ATMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IDB09E60ATMA1 (PDF), цена IDB09E60ATMA1, Распиновка IDB09E60ATMA1, руководство IDB09E60ATMA1 и решение на замену IDB09E60ATMA1.
IDB09E60ATMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IDB09E60ATMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IDB09E60ATMA1 (PDF), цена IDB09E60ATMA1, Распиновка IDB09E60ATMA1, руководство IDB09E60ATMA1 и решение на замену IDB09E60ATMA1.
IDB09E60ATMA1 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage of the IDB09E60ATMA1?
The maximum drain-source voltage of the IDB09E60ATMA1 is 600V.
2. What is the continuous drain current rating of the IDB09E60ATMA1?
The continuous drain current rating of the IDB09E60ATMA1 is 9A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IDB09E60ATMA1?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IDB09E60ATMA1 is typically 0.9 ohms.
4. What is the gate threshold voltage of the IDB09E60ATMA1?
The gate threshold voltage of the IDB09E60ATMA1 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature of the IDB09E60ATMA1?
The maximum junction temperature of the IDB09E60ATMA1 is 150°C.
6. What is the input capacitance of the IDB09E60ATMA1?
The input capacitance of the IDB09E60ATMA1 is typically 1100pF.
7. What is the total gate charge of the IDB09E60ATMA1?
The total gate charge of the IDB09E60ATMA1 is typically 18nC.
8. What is the reverse transfer capacitance of the IDB09E60ATMA1?
The reverse transfer capacitance of the IDB09E60ATMA1 is typically 100pF.
9. What is the maximum power dissipation of the IDB09E60ATMA1?
The maximum power dissipation of the IDB09E60ATMA1 is 125W.
10. What is the package type of the IDB09E60ATMA1?
The IDB09E60ATMA1 is available in a TO-263AB package.
The maximum drain-source voltage of the IDB09E60ATMA1 is 600V.
2. What is the continuous drain current rating of the IDB09E60ATMA1?
The continuous drain current rating of the IDB09E60ATMA1 is 9A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IDB09E60ATMA1?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IDB09E60ATMA1 is typically 0.9 ohms.
4. What is the gate threshold voltage of the IDB09E60ATMA1?
The gate threshold voltage of the IDB09E60ATMA1 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature of the IDB09E60ATMA1?
The maximum junction temperature of the IDB09E60ATMA1 is 150°C.
6. What is the input capacitance of the IDB09E60ATMA1?
The input capacitance of the IDB09E60ATMA1 is typically 1100pF.
7. What is the total gate charge of the IDB09E60ATMA1?
The total gate charge of the IDB09E60ATMA1 is typically 18nC.
8. What is the reverse transfer capacitance of the IDB09E60ATMA1?
The reverse transfer capacitance of the IDB09E60ATMA1 is typically 100pF.
9. What is the maximum power dissipation of the IDB09E60ATMA1?
The maximum power dissipation of the IDB09E60ATMA1 is 125W.
10. What is the package type of the IDB09E60ATMA1?
The IDB09E60ATMA1 is available in a TO-263AB package.
IDB09E60ATMA1 Связанные ключевые слова
:
IDB09E60ATMA1 Цена
IDB09E60ATMA1 Картина
IDB09E60ATMA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IDB0"
series
products
