DD1200S33KL2CB5NOSA1 Infineon Technologies DIODE MOD 3300V A-IHV130-6-1
Дискретные полупроводниковые приборы Block, 4 Lead
Номер производителя:
DD1200S33KL2CB5NOSA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE MOD 3300V A-IHV130-6-1
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
1200A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
1700A @ 1800V
Diode Configuration :
2 Independent
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature - Junction :
-40°C ~ 125°C
Package / Case :
Block, 4 Lead
Packaging :
Bulk
Part Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Series :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
3300V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
3.5V @ 1200A
в наличии
25,043
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить DD1200S33KL2CB5NOSA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc DD1200S33KL2CB5NOSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на DD1200S33KL2CB5NOSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Особенности
DD1200S33KL2CB5NOSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Диоды - выпрямители - массивы, the size is Block, 4 Lead, and Bulk is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), using Module.
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Подробная информация о продукции
:
DD1200S33KL2CB5NOSA1 — это Диоды - выпрямители - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
DD1200S33KL2CB5NOSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DD1200S33KL2CB5NOSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DD1200S33KL2CB5NOSA1 (PDF), цена DD1200S33KL2CB5NOSA1, Распиновка DD1200S33KL2CB5NOSA1, руководство DD1200S33KL2CB5NOSA1 и решение на замену DD1200S33KL2CB5NOSA1.
DD1200S33KL2CB5NOSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DD1200S33KL2CB5NOSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DD1200S33KL2CB5NOSA1 (PDF), цена DD1200S33KL2CB5NOSA1, Распиновка DD1200S33KL2CB5NOSA1, руководство DD1200S33KL2CB5NOSA1 и решение на замену DD1200S33KL2CB5NOSA1.
DD1200S33KL2CB5NOSA1 FAQ
:
1. What is the maximum voltage rating for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor?
The maximum voltage rating for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is 1200V.
2. What is the typical operating temperature range for this semiconductor device?
The typical operating temperature range for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is -40°C to 150°C.
3. Can you provide the typical on-state voltage drop for this semiconductor at its rated current?
The typical on-state voltage drop for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor at its rated current is 1.7V.
4. What is the maximum continuous forward current rating for this semiconductor?
The maximum continuous forward current rating for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is 1200A.
5. Does this semiconductor have built-in protection features such as overcurrent or overtemperature protection?
Yes, the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor includes built-in overcurrent and overtemperature protection features.
6. What is the typical switching frequency range for this semiconductor device?
The typical switching frequency range for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is 8kHz to 20kHz.
7. Can you provide information on the thermal resistance of this semiconductor package?
The thermal resistance of the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor package is typically 0.12°C/W.
8. Is the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor suitable for use in high-power applications?
Yes, the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is suitable for high-power applications.
9. What type of packaging does this semiconductor come in?
The DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor comes in a standard TO-247 package.
10. Can you provide information on the gate charge characteristics of this semiconductor device?
The gate charge characteristics of the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor include a typical gate charge of 320nC.
The maximum voltage rating for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is 1200V.
2. What is the typical operating temperature range for this semiconductor device?
The typical operating temperature range for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is -40°C to 150°C.
3. Can you provide the typical on-state voltage drop for this semiconductor at its rated current?
The typical on-state voltage drop for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor at its rated current is 1.7V.
4. What is the maximum continuous forward current rating for this semiconductor?
The maximum continuous forward current rating for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is 1200A.
5. Does this semiconductor have built-in protection features such as overcurrent or overtemperature protection?
Yes, the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor includes built-in overcurrent and overtemperature protection features.
6. What is the typical switching frequency range for this semiconductor device?
The typical switching frequency range for the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is 8kHz to 20kHz.
7. Can you provide information on the thermal resistance of this semiconductor package?
The thermal resistance of the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor package is typically 0.12°C/W.
8. Is the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor suitable for use in high-power applications?
Yes, the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor is suitable for high-power applications.
9. What type of packaging does this semiconductor come in?
The DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor comes in a standard TO-247 package.
10. Can you provide information on the gate charge characteristics of this semiconductor device?
The gate charge characteristics of the DD1200S33KL2CB5NOSA1 semiconductor include a typical gate charge of 320nC.
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Связанные ключевые слова
:
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Цена
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Картина
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"DD12"
series
products