BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON

Дискретные полупроводниковые приборы 8-PowerTDFN

Номер производителя:

BSG0813NDIATMA1

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

Описание:

MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

BSG0813NDIATMA1 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

19A, 33A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

25V

FET Feature :

Logic Level Gate, 4.5V Drive

FET Type :

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

8.4nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

1100pF @ 12V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 155°C (TJ)

Package / Case :

8-PowerTDFN

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power - Max :

2.5W

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

3 mOhm @ 20A, 10V

Series :

Supplier Device Package :

PG-TISON-8

Vgs(th) (Max) @ Id :

2V @ 250µA

в наличии

59,145

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

BSG0813NDIATMA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BSG0813NDIATMA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BSG0813NDIATMA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BSG0813NDIATMA1. Нажмите, чтобы получить предложение

BSG0813NDIATMA1 Особенности

BSG0813NDIATMA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 155°C (TJ), the size is 8-PowerTDFN, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-TISON-8.

BSG0813NDIATMA1 Подробная информация о продукции

BSG0813NDIATMA1 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BSG0813NDIATMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BSG0813NDIATMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BSG0813NDIATMA1 (PDF), цена BSG0813NDIATMA1, Распиновка BSG0813NDIATMA1, руководство BSG0813NDIATMA1 и решение на замену BSG0813NDIATMA1.

BSG0813NDIATMA1 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage for BSG0813NDIATMA1?
The maximum drain-source voltage for BSG0813NDIATMA1 is 30V.

2. What is the typical on-resistance for BSG0813NDIATMA1 at a specific temperature and current?
The typical on-resistance for BSG0813NDIATMA1 at 25°C and 10V gate-source voltage is 13mΩ.

3. Can BSG0813NDIATMA1 handle high current loads?
Yes, BSG0813NDIATMA1 is designed to handle high current loads with its low on-resistance and efficient power handling capabilities.

4. What is the maximum junction temperature for BSG0813NDIATMA1?
The maximum junction temperature for BSG0813NDIATMA1 is 175°C.

5. Does BSG0813NDIATMA1 have built-in protection features?
Yes, BSG0813NDIATMA1 includes built-in overcurrent protection and thermal shutdown features for enhanced reliability.

6. What is the typical input capacitance of BSG0813NDIATMA1?
The typical input capacitance of BSG0813NDIATMA1 is 3700pF at a 15V gate-source voltage.

7. Is BSG0813NDIATMA1 suitable for automotive applications?
Yes, BSG0813NDIATMA1 is designed for automotive applications and meets the necessary industry standards.

8. Can BSG0813NDIATMA1 be used in switching power supplies?
Yes, BSG0813NDIATMA1 is suitable for use in switching power supplies due to its low on-resistance and high efficiency.

9. What is the recommended operating temperature range for BSG0813NDIATMA1?
The recommended operating temperature range for BSG0813NDIATMA1 is -55°C to 150°C.

10. Does BSG0813NDIATMA1 require external gate drivers?
No, BSG0813NDIATMA1 does not require external gate drivers as it has a built-in driver circuit for simplified integration.

BSG0813NDIATMA1 Связанные ключевые слова

BSG0813NDIATMA1 Цена

BSG0813NDIATMA1 Техническая спецификация

BSG0813NDIATMA1 Картина

BSG0813NDIATMA1 PDF

BSG0813NDIATMA1 Технические характеристики

BSG0813NDIATMA1 Напряжение на выводе

BSG0813NDIATMA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "BSG0" series products

BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0812NDATMA1

MOSFET N-CH 8TISON
BSG0812NDATMA1

MOSFET N-CH 8TISON
BSG0812NDATMA1

MOSFET N-CH 8TISON