BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Дискретные полупроводниковые приборы 8-PowerTDFN

Номер производителя:

BSG0810NDIATMA1

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

Описание:

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

BSG0810NDIATMA1 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

19A, 39A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

25V

FET Feature :

Logic Level Gate, 4.5V Drive

FET Type :

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

8.4nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

1040pF @ 12V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 155°C (TJ)

Package / Case :

8-PowerTDFN

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power - Max :

2.5W

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

3 mOhm @ 20A, 10V

Series :

OptiMOS™

Supplier Device Package :

PG-TISON-8

Vgs(th) (Max) @ Id :

2V @ 250µA

в наличии

28,928

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

BSG0810NDIATMA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BSG0810NDIATMA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BSG0810NDIATMA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BSG0810NDIATMA1. Нажмите, чтобы получить предложение

BSG0810NDIATMA1 Особенности

BSG0810NDIATMA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 155°C (TJ), the size is 8-PowerTDFN, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the OptiMOS™ series, using PG-TISON-8.

BSG0810NDIATMA1 Подробная информация о продукции

BSG0810NDIATMA1 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BSG0810NDIATMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BSG0810NDIATMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BSG0810NDIATMA1 (PDF), цена BSG0810NDIATMA1, Распиновка BSG0810NDIATMA1, руководство BSG0810NDIATMA1 и решение на замену BSG0810NDIATMA1.

BSG0810NDIATMA1 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage for BSG0810NDIATMA1?
The maximum drain-source voltage for BSG0810NDIATMA1 is 100V.

2. What is the continuous drain current rating for BSG0810NDIATMA1?
The continuous drain current rating for BSG0810NDIATMA1 is 80A.

3. Can BSG0810NDIATMA1 handle high power dissipation?
Yes, BSG0810NDIATMA1 can handle high power dissipation due to its low RDS(on) characteristics.

4. What is the typical gate threshold voltage for BSG0810NDIATMA1?
The typical gate threshold voltage for BSG0810NDIATMA1 is 2.5V.

5. Does BSG0810NDIATMA1 have built-in ESD protection?
Yes, BSG0810NDIATMA1 features built-in ESD protection for enhanced reliability.

6. Is BSG0810NDIATMA1 suitable for automotive applications?
Yes, BSG0810NDIATMA1 is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.

7. What is the operating temperature range for BSG0810NDIATMA1?
BSG0810NDIATMA1 has an operating temperature range of -55°C to 175°C.

8. Can BSG0810NDIATMA1 be used in switching applications?
Yes, BSG0810NDIATMA1 is well-suited for switching applications due to its fast switching characteristics.

9. Does BSG0810NDIATMA1 require external freewheeling diodes?
No, BSG0810NDIATMA1 has integrated freewheeling diodes for simplified design and reduced component count.

10. What package type is BSG0810NDIATMA1 available in?
BSG0810NDIATMA1 is available in a TO-220AB package for easy integration into various systems.

BSG0810NDIATMA1 Связанные ключевые слова

BSG0810NDIATMA1 Цена

BSG0810NDIATMA1 Техническая спецификация

BSG0810NDIATMA1 Картина

BSG0810NDIATMA1 PDF

BSG0810NDIATMA1 Технические характеристики

BSG0810NDIATMA1 Напряжение на выводе

BSG0810NDIATMA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "BSG0" series products

BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0812NDATMA1

MOSFET N-CH 8TISON
BSG0812NDATMA1

MOSFET N-CH 8TISON
BSG0812NDATMA1

MOSFET N-CH 8TISON