BSC750N10NDGATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

Дискретные полупроводниковые приборы     8-PowerVDFN
Номер производителя:
BSC750N10NDGATMA1
Производитель:
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
3.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 50V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
26W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 13A, 10V
Series :
OptiMOS™
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id :
4V @ 12µA
в наличии
49,272
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BSC750N10NDGATMA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BSC750N10NDGATMA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BSC750N10NDGATMA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BSC750N10NDGATMA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BSC750N10NDGATMA1 Особенности

BSC750N10NDGATMA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-PowerVDFN, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the OptiMOS™ series, using PG-TDSON-8 Dual.
  

BSC750N10NDGATMA1 Подробная информация о продукции

:
BSC750N10NDGATMA1 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BSC750N10NDGATMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BSC750N10NDGATMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BSC750N10NDGATMA1 (PDF), цена BSC750N10NDGATMA1, Распиновка BSC750N10NDGATMA1, руководство BSC750N10NDGATMA1 и решение на замену BSC750N10NDGATMA1.
  

BSC750N10NDGATMA1 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET?
The maximum drain-source voltage of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current rating of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET?
The continuous drain current rating of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET is 75A.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET is typically 7.5mΩ.

4. Can the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET be used in high-frequency applications?
Yes, the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET is suitable for high-frequency applications due to its low gate charge and intrinsic capacitances.

5. What is the operating temperature range of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET?
The BSC750N10NDGATMA1 MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 175°C.

6. Does the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET is designed with built-in ESD protection to enhance reliability.

7. What is the gate-source voltage (VGS) for proper operation of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) required for proper operation of the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET is typically 10V.

8. Is the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET is AEC-Q101 qualified and suitable for automotive applications.

9. What package type is the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET available in?
The BSC750N10NDGATMA1 MOSFET is available in a TO-263 (D2PAK) package.

10. Does the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET require a heat sink for certain applications?
For high-power or high-temperature applications, it is recommended to use a heat sink with the BSC750N10NDGATMA1 MOSFET to ensure optimal thermal performance.
  

BSC750N10NDGATMA1 Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BSC7" series products