BG3130RE6327BTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

Дискретные полупроводниковые приборы 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Номер производителя:

BG3130RE6327BTSA1

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Описание:

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

BG3130RE6327BTSA1 Таблицы данных(PDF)

Current - Test :

14mA

Current Rating :

25mA

Frequency :

800MHz

Gain :

24dB

Noise Figure :

1.3dB

Package / Case :

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Obsolete

Power - Output :

Series :

Supplier Device Package :

PG-SOT363-6

Transistor Type :

2 N-Channel (Dual)

Voltage - Rated :

Voltage - Test :

в наличии

35,040

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

BG3130RE6327BTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BG3130RE6327BTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BG3130RE6327BTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BG3130RE6327BTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение

BG3130RE6327BTSA1 Особенности

BG3130RE6327BTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, in addition , its frequency is 800MHz, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.

BG3130RE6327BTSA1 Подробная информация о продукции

BG3130RE6327BTSA1 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BG3130RE6327BTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BG3130RE6327BTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BG3130RE6327BTSA1 (PDF), цена BG3130RE6327BTSA1, Распиновка BG3130RE6327BTSA1, руководство BG3130RE6327BTSA1 и решение на замену BG3130RE6327BTSA1.

BG3130RE6327BTSA1 FAQ

1. What is the maximum operating temperature for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor?
The maximum operating temperature for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is 150°C.

2. What is the typical voltage rating for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor?
The typical voltage rating for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is 600V.

3. Can the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor handle high-frequency applications?
Yes, the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is designed to handle high-frequency applications.

4. What is the recommended storage temperature for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor?
The recommended storage temperature for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is -55°C to 150°C.

5. Does the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor require a heat sink for operation?
Yes, it is recommended to use a heat sink for optimal performance of the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor.

6. What is the typical on-state voltage drop for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor?
The typical on-state voltage drop for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is 1.8V.

7. Is the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor suitable for motor control applications?
Yes, the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is suitable for motor control applications.

8. What is the maximum continuous forward current for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor?
The maximum continuous forward current for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is 15A.

9. Can the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor be used in automotive electronics?
Yes, the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is suitable for use in automotive electronics.

10. What is the typical switching frequency range for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor?
The typical switching frequency range for the BG3130RE6327BTSA1 semiconductor is 20kHz to 100kHz.

BG3130RE6327BTSA1 Связанные ключевые слова

BG3130RE6327BTSA1 Цена

BG3130RE6327BTSA1 Техническая спецификация

BG3130RE6327BTSA1 Картина

BG3130RE6327BTSA1 PDF

BG3130RE6327BTSA1 Технические характеристики

BG3130RE6327BTSA1 Напряжение на выводе

BG3130RE6327BTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：mlccchips@gmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "BG31" series products

BG3130E6327HTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
BG3130H6327XTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
BG3130H6327XTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
BG3130RE6327BTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
BG3130RH6327XTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
BG3130RH6327XTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363