BG3123E6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

Дискретные полупроводниковые приборы 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Номер производителя:

BG3123E6327HTSA1

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Описание:

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

BG3123E6327HTSA1 Таблицы данных(PDF)

Current - Test :

14mA

Current Rating :

25mA, 20mA

Frequency :

800MHz

Gain :

25dB

Noise Figure :

1.8dB

Package / Case :

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Obsolete

Power - Output :

Series :

Supplier Device Package :

PG-SOT363-6

Transistor Type :

2 N-Channel (Dual)

Voltage - Rated :

Voltage - Test :

в наличии

16,135

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

BG3123E6327HTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BG3123E6327HTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BG3123E6327HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BG3123E6327HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение

BG3123E6327HTSA1 Особенности

BG3123E6327HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, in addition , its frequency is 800MHz, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.

BG3123E6327HTSA1 Подробная информация о продукции

BG3123E6327HTSA1 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BG3123E6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BG3123E6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BG3123E6327HTSA1 (PDF), цена BG3123E6327HTSA1, Распиновка BG3123E6327HTSA1, руководство BG3123E6327HTSA1 и решение на замену BG3123E6327HTSA1.

BG3123E6327HTSA1 FAQ

1. What is the maximum operating temperature for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor?
The maximum operating temperature for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is 150°C.

2. What is the typical voltage rating for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor?
The typical voltage rating for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is 600V.

3. Can the BG3123E6327HTSA1 semiconductor handle high-frequency applications?
Yes, the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is suitable for high-frequency applications.

4. What is the recommended storage temperature for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor?
The recommended storage temperature for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is -55°C to 150°C.

5. Does the BG3123E6327HTSA1 semiconductor have built-in overcurrent protection?
Yes, the BG3123E6327HTSA1 semiconductor features built-in overcurrent protection.

6. What is the typical on-state resistance of the BG3123E6327HTSA1 semiconductor?
The typical on-state resistance of the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is 0.35 ohms.

7. Is the BG3123E6327HTSA1 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is RoHS compliant.

8. What is the maximum drain-source voltage for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor?
The maximum drain-source voltage for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is 700V.

9. Can the BG3123E6327HTSA1 semiconductor be used in automotive applications?
Yes, the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is suitable for automotive applications.

10. What is the typical gate threshold voltage for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor?
The typical gate threshold voltage for the BG3123E6327HTSA1 semiconductor is 2.5V.

BG3123E6327HTSA1 Связанные ключевые слова

BG3123E6327HTSA1 Цена

BG3123E6327HTSA1 Техническая спецификация

BG3123E6327HTSA1 Картина

BG3123E6327HTSA1 PDF

BG3123E6327HTSA1 Технические характеристики

BG3123E6327HTSA1 Напряжение на выводе

BG3123E6327HTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "BG31" series products

BG3123E6327HTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
BG3123H6327XTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
BG3123H6327XTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
BG3123RE6327HTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
BG3123RE6327HTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
BG3123RH6327XTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
BG3123RH6327XTSA1

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363