BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23
Дискретные полупроводниковые приборы TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
BF999E6327HTSA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
BF999E6327HTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Test :
10mA
Current Rating :
30mA
Frequency :
45MHz
Gain :
27dB
Noise Figure :
2.1dB
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Not For New Designs
Power - Output :
-
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT23-3
Transistor Type :
N-Channel
Voltage - Rated :
20V
Voltage - Test :
10V
в наличии
46,072
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
BF999E6327HTSA1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BF999E6327HTSA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc BF999E6327HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на BF999E6327HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
BF999E6327HTSA1 Особенности
BF999E6327HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, in addition , its frequency is 45MHz, the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT23-3.
BF999E6327HTSA1 Подробная информация о продукции
:
BF999E6327HTSA1 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
BF999E6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BF999E6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BF999E6327HTSA1 (PDF), цена BF999E6327HTSA1, Распиновка BF999E6327HTSA1, руководство BF999E6327HTSA1 и решение на замену BF999E6327HTSA1.
BF999E6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BF999E6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BF999E6327HTSA1 (PDF), цена BF999E6327HTSA1, Распиновка BF999E6327HTSA1, руководство BF999E6327HTSA1 и решение на замену BF999E6327HTSA1.
BF999E6327HTSA1 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the BF999E6327HTSA1 semiconductor?
The maximum drain-source voltage for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 20V.
2. What is the typical forward voltage drop for this semiconductor?
The typical forward voltage drop for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 0.75V.
3. Can you provide the maximum continuous drain current for this semiconductor?
The maximum continuous drain current for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 50mA.
4. What is the typical input capacitance of the BF999E6327HTSA1 semiconductor?
The typical input capacitance of the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 1.5pF.
5. What is the maximum power dissipation for this semiconductor?
The maximum power dissipation for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 225mW.
6. Can you explain the typical transconductance of this semiconductor?
The typical transconductance of the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 10mS.
7. What is the typical reverse transfer capacitance of this semiconductor?
The typical reverse transfer capacitance of the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 0.35pF.
8. Can you provide the maximum junction temperature for this semiconductor?
The maximum junction temperature for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 150°C.
9. What is the typical noise figure for this semiconductor?
The typical noise figure for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 1.5dB.
10. Can you explain the typical S21 gain of this semiconductor at 500MHz?
The typical S21 gain of the BF999E6327HTSA1 semiconductor at 500MHz is 12dB.
The maximum drain-source voltage for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 20V.
2. What is the typical forward voltage drop for this semiconductor?
The typical forward voltage drop for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 0.75V.
3. Can you provide the maximum continuous drain current for this semiconductor?
The maximum continuous drain current for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 50mA.
4. What is the typical input capacitance of the BF999E6327HTSA1 semiconductor?
The typical input capacitance of the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 1.5pF.
5. What is the maximum power dissipation for this semiconductor?
The maximum power dissipation for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 225mW.
6. Can you explain the typical transconductance of this semiconductor?
The typical transconductance of the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 10mS.
7. What is the typical reverse transfer capacitance of this semiconductor?
The typical reverse transfer capacitance of the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 0.35pF.
8. Can you provide the maximum junction temperature for this semiconductor?
The maximum junction temperature for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 150°C.
9. What is the typical noise figure for this semiconductor?
The typical noise figure for the BF999E6327HTSA1 semiconductor is 1.5dB.
10. Can you explain the typical S21 gain of this semiconductor at 500MHz?
The typical S21 gain of the BF999E6327HTSA1 semiconductor at 500MHz is 12dB.
BF999E6327HTSA1 Связанные ключевые слова
:
BF999E6327HTSA1 Цена
BF999E6327HTSA1 Картина
BF999E6327HTSA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"BF99"
series
products
