+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  5. BCR22PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR22PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR22PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

BCR22PNE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Дискретные полупроводниковые приборы     6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
BCR22PNE6327BTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR22PNE6327BTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
130MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
22 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
36,992
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR22PNE6327BTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR22PNE6327BTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR22PNE6327BTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR22PNE6327BTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR22PNE6327BTSA1 Особенности

BCR22PNE6327BTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
  

BCR22PNE6327BTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR22PNE6327BTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR22PNE6327BTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR22PNE6327BTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR22PNE6327BTSA1 (PDF), цена BCR22PNE6327BTSA1, Распиновка BCR22PNE6327BTSA1, руководство BCR22PNE6327BTSA1 и решение на замену BCR22PNE6327BTSA1.
  

BCR22PNE6327BTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) of the BCR22PNE6327BTSA1?

The maximum collector current (Ic) of the BCR22PNE6327BTSA1 is 100 mA.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BCR22PNE6327BTSA1?

The maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BCR22PNE6327BTSA1 is 45 V.

3. What is the power dissipation (Ptot) of the BCR22PNE6327BTSA1?

The power dissipation (Ptot) of the BCR22PNE6327BTSA1 is 310 mW.

4. What is the DC current gain (hFE) of the BCR22PNE6327BTSA1?

The DC current gain (hFE) of the BCR22PNE6327BTSA1 is in the range of 100 to 600.

5. What is the storage temperature range for the BCR22PNE6327BTSA1?

The storage temperature range for the BCR22PNE6327BTSA1 is -55°C to +150°C.

6. What is the operating temperature range for the BCR22PNE6327BTSA1?

The operating temperature range for the BCR22PNE6327BTSA1 is -40°C to +125°C.

7. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the BCR22PNE6327BTSA1?

The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the BCR22PNE6327BTSA1 is 500 K/W.

8. What is the input capacitance (Cib) of the BCR22PNE6327BTSA1?

The input capacitance (Cib) of the BCR22PNE6327BTSA1 is 12 pF.

9. What is the output capacitance (Cob) of the BCR22PNE6327BTSA1?

The output capacitance (Cob) of the BCR22PNE6327BTSA1 is 6 pF.

10. What is the transition frequency (ft) of the BCR22PNE6327BTSA1?

The transition frequency (ft) of the BCR22PNE6327BTSA1 is 250 MHz.
  

BCR22PNE6327BTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR22PNE6327BTSA1 Цена
BCR22PNE6327BTSA1 Техническая спецификация
BCR22PNE6327BTSA1 Картина
BCR22PNE6327BTSA1 PDF
BCR22PNE6327BTSA1 Технические характеристики
BCR22PNE6327BTSA1 Напряжение на выводе
BCR22PNE6327BTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR2" series products