+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. BCR141E6433HTMA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23-3
BCR141E6433HTMA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23-3
BCR141E6433HTMA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23-3

BCR141E6433HTMA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23-3

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
BCR141E6433HTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR141E6433HTMA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
130MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
22 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT23-3
Transistor Type :
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
23,887
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR141E6433HTMA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR141E6433HTMA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR141E6433HTMA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR141E6433HTMA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR141E6433HTMA1 Особенности

BCR141E6433HTMA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT23-3.
  

BCR141E6433HTMA1 Подробная информация о продукции

:
BCR141E6433HTMA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR141E6433HTMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR141E6433HTMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR141E6433HTMA1 (PDF), цена BCR141E6433HTMA1, Распиновка BCR141E6433HTMA1, руководство BCR141E6433HTMA1 и решение на замену BCR141E6433HTMA1.
  

BCR141E6433HTMA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current of BCR141E6433HTMA1?
The maximum collector current of BCR141E6433HTMA1 is 100 mA.

2. What is the maximum collector-emitter voltage of BCR141E6433HTMA1?
The maximum collector-emitter voltage of BCR141E6433HTMA1 is 45 V.

3. What is the maximum power dissipation of BCR141E6433HTMA1?
The maximum power dissipation of BCR141E6433HTMA1 is 250 mW.

4. What is the thermal resistance junction to ambient of BCR141E6433HTMA1?
The thermal resistance junction to ambient of BCR141E6433HTMA1 is 625 °C/W.

5. What is the storage temperature range of BCR141E6433HTMA1?
The storage temperature range of BCR141E6433HTMA1 is -55°C to +150°C.

6. What is the operating temperature range of BCR141E6433HTMA1?
The operating temperature range of BCR141E6433HTMA1 is -40°C to +125°C.

7. What is the DC current gain (hFE) of BCR141E6433HTMA1?
The DC current gain (hFE) of BCR141E6433HTMA1 is 100 to 600.

8. What is the base-emitter saturation voltage of BCR141E6433HTMA1?
The base-emitter saturation voltage of BCR141E6433HTMA1 is 0.75 V.

9. What is the base-emitter voltage of BCR141E6433HTMA1 at a given current?
The base-emitter voltage of BCR141E6433HTMA1 at a given current is typically 1.1 V.

10. What is the recommended soldering profile for BCR141E6433HTMA1?
The recommended soldering profile for BCR141E6433HTMA1 is a peak reflow temperature of 260°C for 10 seconds.
  

BCR141E6433HTMA1 Связанные ключевые слова

:
BCR141E6433HTMA1 Цена
BCR141E6433HTMA1 Техническая спецификация
BCR141E6433HTMA1 Картина
BCR141E6433HTMA1 PDF
BCR141E6433HTMA1 Технические характеристики
BCR141E6433HTMA1 Напряжение на выводе
BCR141E6433HTMA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products