BCR116E6393HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN SOT23
Дискретные полупроводниковые приборы TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
BCR116E6393HTSA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN SOT23
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
BCR116E6393HTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
150MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
200mW
Series :
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package :
PG-SOT23-3
Transistor Type :
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
32,716
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
BCR116E6393HTSA1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR116E6393HTSA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc BCR116E6393HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на BCR116E6393HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
BCR116E6393HTSA1 Особенности
BCR116E6393HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, and its best working temperature is 150°C (TJ), the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the Automotive, AEC-Q101 series, using PG-SOT23-3.
BCR116E6393HTSA1 Подробная информация о продукции
:
BCR116E6393HTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
BCR116E6393HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR116E6393HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR116E6393HTSA1 (PDF), цена BCR116E6393HTSA1, Распиновка BCR116E6393HTSA1, руководство BCR116E6393HTSA1 и решение на замену BCR116E6393HTSA1.
BCR116E6393HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR116E6393HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR116E6393HTSA1 (PDF), цена BCR116E6393HTSA1, Распиновка BCR116E6393HTSA1, руководство BCR116E6393HTSA1 и решение на замену BCR116E6393HTSA1.
BCR116E6393HTSA1 FAQ
:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR116E6393HTSA1?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR116E6393HTSA1 is 100 mA.
2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR116E6393HTSA1 at a given collector current?
The typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR116E6393HTSA1 at a collector current of 10 mA is 0.25 V.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR116E6393HTSA1 in free air at 25°C?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR116E6393HTSA1 in free air at 25°C is 250 mW.
4. What is the storage temperature range for BCR116E6393HTSA1?
The storage temperature range for BCR116E6393HTSA1 is -55°C to +150°C.
5. What is the recommended soldering temperature and duration for BCR116E6393HTSA1?
The recommended soldering temperature for BCR116E6393HTSA1 is 260°C, and the duration should not exceed 10 seconds.
6. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR116E6393HTSA1 in still air?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR116E6393HTSA1 in still air is 625 K/W.
7. What is the maximum allowable peak pulse current (Icm) for BCR116E6393HTSA1?
The maximum allowable peak pulse current (Icm) for BCR116E6393HTSA1 is 200 mA.
8. What is the typical input capacitance (Cib) for BCR116E6393HTSA1 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance (Cib) for BCR116E6393HTSA1 at a voltage of 5 V and a frequency of 1 MHz is 4 pF.
9. What is the minimum hFE (DC current gain) for BCR116E6393HTSA1 at a certain collector current?
The minimum hFE (DC current gain) for BCR116E6393HTSA1 at a collector current of 2 mA is 100.
10. What is the maximum allowable junction temperature (Tj) for BCR116E6393HTSA1 during operation?
The maximum allowable junction temperature (Tj) for BCR116E6393HTSA1 during operation is 150°C.
The maximum collector current (Ic) rating for BCR116E6393HTSA1 is 100 mA.
2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR116E6393HTSA1 at a given collector current?
The typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for BCR116E6393HTSA1 at a collector current of 10 mA is 0.25 V.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR116E6393HTSA1 in free air at 25°C?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR116E6393HTSA1 in free air at 25°C is 250 mW.
4. What is the storage temperature range for BCR116E6393HTSA1?
The storage temperature range for BCR116E6393HTSA1 is -55°C to +150°C.
5. What is the recommended soldering temperature and duration for BCR116E6393HTSA1?
The recommended soldering temperature for BCR116E6393HTSA1 is 260°C, and the duration should not exceed 10 seconds.
6. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR116E6393HTSA1 in still air?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BCR116E6393HTSA1 in still air is 625 K/W.
7. What is the maximum allowable peak pulse current (Icm) for BCR116E6393HTSA1?
The maximum allowable peak pulse current (Icm) for BCR116E6393HTSA1 is 200 mA.
8. What is the typical input capacitance (Cib) for BCR116E6393HTSA1 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance (Cib) for BCR116E6393HTSA1 at a voltage of 5 V and a frequency of 1 MHz is 4 pF.
9. What is the minimum hFE (DC current gain) for BCR116E6393HTSA1 at a certain collector current?
The minimum hFE (DC current gain) for BCR116E6393HTSA1 at a collector current of 2 mA is 100.
10. What is the maximum allowable junction temperature (Tj) for BCR116E6393HTSA1 during operation?
The maximum allowable junction temperature (Tj) for BCR116E6393HTSA1 during operation is 150°C.
BCR116E6393HTSA1 Связанные ключевые слова
:
BCR116E6393HTSA1 Цена
BCR116E6393HTSA1 Картина
BCR116E6393HTSA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"BCR1"
series
products
