+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. BCR112WE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
BCR112WE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
BCR112WE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

BCR112WE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

Дискретные полупроводниковые приборы     SC-70, SOT-323
Номер производителя:
BCR112WE6327BTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR112WE6327BTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
20 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
140MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
SC-70, SOT-323
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
4.7 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT323-3
Transistor Type :
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
42,954
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR112WE6327BTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR112WE6327BTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR112WE6327BTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR112WE6327BTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR112WE6327BTSA1 Особенности

BCR112WE6327BTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is SC-70, SOT-323, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT323-3.
  

BCR112WE6327BTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR112WE6327BTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR112WE6327BTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR112WE6327BTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR112WE6327BTSA1 (PDF), цена BCR112WE6327BTSA1, Распиновка BCR112WE6327BTSA1, руководство BCR112WE6327BTSA1 и решение на замену BCR112WE6327BTSA1.
  

BCR112WE6327BTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR112WE6327BTSA1?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR112WE6327BTSA1 is 100 mA.

2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (VCEsat) for BCR112WE6327BTSA1?
The typical collector-emitter saturation voltage (VCEsat) for BCR112WE6327BTSA1 is 0.4 V.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR112WE6327BTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR112WE6327BTSA1 is 200 mW.

4. What is the maximum operating temperature range for BCR112WE6327BTSA1?
The maximum operating temperature range for BCR112WE6327BTSA1 is -40°C to +125°C.

5. What is the typical DC current gain (hFE) for BCR112WE6327BTSA1?
The typical DC current gain (hFE) for BCR112WE6327BTSA1 is 250.

6. What is the package type for BCR112WE6327BTSA1?
BCR112WE6327BTSA1 is available in a SOT-323 package.

7. What is the storage temperature range for BCR112WE6327BTSA1?
The storage temperature range for BCR112WE6327BTSA1 is -55°C to +150°C.

8. What is the input voltage range for BCR112WE6327BTSA1?
The input voltage range for BCR112WE6327BTSA1 is 5 V to 32 V.

9. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR112WE6327BTSA1?
The typical base-emitter saturation voltage (VBEsat) for BCR112WE6327BTSA1 is 1.1 V.

10. What is the lead-free status of BCR112WE6327BTSA1?
BCR112WE6327BTSA1 is lead-free and compliant with RoHS regulations.
  

BCR112WE6327BTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR112WE6327BTSA1 Цена
BCR112WE6327BTSA1 Техническая спецификация
BCR112WE6327BTSA1 Картина
BCR112WE6327BTSA1 PDF
BCR112WE6327BTSA1 Технические характеристики
BCR112WE6327BTSA1 Напряжение на выводе
BCR112WE6327BTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products