+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Диоды - выпрямители - одиночные
  5. GDP30P120B Global Power Technologies Group DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2
GDP30P120B Global Power Technologies Group DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2
GDP30P120B Global Power Technologies Group DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2

GDP30P120B Global Power Technologies Group DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-247-2
Номер производителя:
GDP30P120B
Производитель:
Global Power Technologies Group
Категория продукции:
Диоды - выпрямители - одиночные
Описание:
DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:

PDF
Таблицы данных
Capacitance @ Vr, F :
1790pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
81A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
100µA @ 1200V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 135°C
Package / Case :
TO-247-2
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
0ns
Series :
Amp+™
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 30A
в наличии
60,340
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

GDP30P120B Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить GDP30P120B более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc GDP30P120B. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на GDP30P120B. Нажмите, чтобы получить предложение
 

GDP30P120B Особенности

GDP30P120B is produced by Global Power Technologies Group, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is TO-247-2, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the Amp+™ series, and has the speed of No Recovery Time > 500mA (Io), using TO-247-2.
  

GDP30P120B Подробная информация о продукции

:
GDP30P120B — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Global Power Technologies Group.
GDP30P120B производства Global Power Technologies Group можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
GDP30P120B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных GDP30P120B (PDF), цена GDP30P120B, Распиновка GDP30P120B, руководство GDP30P120B и решение на замену GDP30P120B.
  

GDP30P120B FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (VDS) for the GDP30P120B power MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) for the GDP30P120B power MOSFET is 120 volts.

2. What is the continuous drain current (ID) rating of the GDP30P120B MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the GDP30P120B MOSFET is 30 amperes.

3. Can you provide the on-state resistance (RDS(on)) specification for the GDP30P120B MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) specification for the GDP30P120B MOSFET is typically 0.08 ohms.

4. What is the maximum junction temperature (TJ) for the GDP30P120B MOSFET?
The maximum junction temperature (TJ) for the GDP30P120B MOSFET is 175 degrees Celsius.

5. Does the GDP30P120B MOSFET have a gate-source voltage (VGS) specification?
Yes, the gate-source voltage (VGS) specification for the GDP30P120B MOSFET is typically ±20 volts.

6. What is the total power dissipation (PD) rating for the GDP30P120B MOSFET?
The total power dissipation (PD) rating for the GDP30P120B MOSFET is 150 watts.

7. Can you provide the input capacitance (Ciss) specification for the GDP30P120B MOSFET?
The input capacitance (Ciss) specification for the GDP30P120B MOSFET is typically 3200 picofarads.

8. What is the output capacitance (Coss) specification for the GDP30P120B MOSFET?
The output capacitance (Coss) specification for the GDP30P120B MOSFET is typically 400 picofarads.

9. Is the GDP30P120B MOSFET RoHS compliant?
Yes, the GDP30P120B MOSFET is RoHS compliant.

10. Can you provide the package type and outline dimensions for the GDP30P120B MOSFET?
The GDP30P120B MOSFET is available in a TO-220AB package with the following outline dimensions: 10.67mm x 4.83mm x 15.87mm.
  

GDP30P120B Связанные ключевые слова

:
GDP30P120B Цена
GDP30P120B Техническая спецификация
GDP30P120B Картина
GDP30P120B PDF
GDP30P120B Технические характеристики
GDP30P120B Напряжение на выводе
GDP30P120B Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "GDP3" series products